Муфты электромонтажные от производителя Fucon
РадиоЛоцман - Все об электронике

ГМС-датчики положения: нанотехнологии и спинотроника в деле

NVE AAT001-10E AAT003-10E

Технологии с использованием эффекта гигантского магнитосопротивления (ГМС) позволяют создавать датчики положения, которые являются альтернативой индуктивным датчикам и датчикам Холла. Компания NVE предлагает две модели таких ГМС-сенсоров: AAT001-10E и AAT003-10E. Они представляют собой мостовые схемы, у которых сопротивление плеч зависит от направления приложенного магнитного поля.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

ГМС-датчики от NVE
Рис. 1. ГМС-датчики от NVE.

Ранее в рубрике уникальных технологий УНИТЕРА уже публиковались статьи, посвященные применению эффекта ГМС в продуктах компании NVE. Это очень интересный пример использования нанотехнологий в реальных устройствах. При этом ГМС-датчики также могут рассматриваться и как представители спинотроники – той области электроники, в которой информационный смысл имеет спин электронов используемых материалов.

Эффект гигантского магнитосопротивления (ГМС) (англ. Giant magnetoresistance, GMR) — особый квантово-механический эффект изменения сопротивления, который наблюдается в многослойных структурах из магнитных и немагнитных материалов. Простейший пример такой системы – пленка немагнитного материала, например меди, помещенной между двумя ферромагнитными слоями (Рис. 2). Стоит отметить, что толщина меди составляет всего несколько атомных слоев – единицы нанометров.

Структура ГМС-ячейки
Рис. 2. Структура ГМС-ячейки.

Как известно, сопротивление металла зависит от длины пробега свободных электронов. В данном случае из-за минимального расстояния между магнитными слоями на длину пробега оказывает большое влияние направление спинов. Если направления намагниченности внешних слоев не совпадают между собой, то прохождение электронов в меди между ними оказывается практически невозможным. Это приводит к тому, что сопротивление ячейки оказывается очень большим.

Когда преимущественное направление спинов внешних слоев совпадает, то электроны меди могут преодолеть эту ячейку, то есть сопротивление снижается, и при внешнем электрическом поле начинает протекать ток.

Обычно, чтобы в упрощенной форме пояснить механизм ГМС, приводят пример двух лент транспортеров, между которыми плотно помещен мячик. Если ленты транспортеров движутся в разные стороны, то мячик будет вращаться, но оставаться на месте. Если же движение лент согласовано, то мячик будет двигаться в том же направлении. Еще один упрощенный аналог ГМС есть в оптике – в системе с двумя поляризаторами. Если их направления поляризации ортогональны, то свет будет полностью поглощаться. Если же направления поляризации совпадают, то свет сможет пройти сквозь поляризационную ячейку.

С помощью ГМС можно создавать датчики положения. Для этого необходимо обеспечить постоянное направление намагниченности нижнего слоя, а верхнему слою дать возможность изменять направление намагниченности. В таком случае при изменении внешнего магнитного поля будет меняться и сопротивление такой ячейки (Рис. 3). Внешнее поле легко создать с помощью постоянного магнита. Если его равномерно поворачивая вращать вдоль оси, то это приведет к периодическому изменению сопротивления.

Простейшая структура датчика положения
Рис. 3. Простейшая структура датчика положения.

Компания NVE предлагает датчики AAT001-10E и AAT003-10E, у которых есть по четыре ГМС-ячейки, которые соединены в полумосты (Рис. 4). При этом направления намагниченности у них таковы, что один из каналов формирует сигнал синуса, а второй сигнал – косинуса. Размах выходного сигнала зависит от величины напряжения питания: типовая чувствительность составляет 200 мВ/В.

Внутренняя структура датчиков AAT001-10E и AAT003-10E
Рис. 4. Внутренняя структура датчиков AAT001-10E и AAT003-10E.

Датчик AAT003-10E выпускается с номинальным сопротивлением 40 кОм, а датчик AAT001-10E с номинальным сопротивлением 1.25 МОм. Оба сенсора доступны в корпусном исполнении TDFN6 (2.5 × 2.5 × 0.8 мм).

Как было сказано выше, сопротивление ячеек и выходной сигнал зависят от внешнего магнитного поля, которое в простейшем случае создается с помощью обычного магнита. При этом важно значение и направление вектора магнитной индукции, а также воздушного зазора между датчиком и магнитом. Однако эксперименты показывают, что выходной сигнал практически не зависит от величины зазора в диапазоне расстояний от 3 до 5 мм (Рис. 5).

Выходной сигнал датчиков при изменении положения внешних магнитов и воздушного зазора (питание 5 В)
Рис. 5. Выходной сигнал датчиков при изменении положения внешних
магнитов и воздушного зазора (питание 5 В).

Диапазон рабочих индуктивностей внешнего поля составляет 3…20 мТл. Однако датчики не имеют ограничений по величине прикладываемого поля. Тем не менее, чтобы не думать об оптимизации, следует использовать готовые рекомендуемые магниты от NVE: 12249 и 12426 (Рис. 6).

Готовые магниты от NVE
Рис. 6. Готовые магниты от NVE.

Чтобы быстро начать работу с новыми датчиками, следует воспользоваться оценочными наборами: AG930-07E и AG931-07E (Рис. 7).

Набор AG930-07E использует датчик AAT003-10E. Набор AG931-07E использует датчик AAT001-10E. Кроме этого, обе платы содержат двухканальный ОУ для буферизации выходных сигналов, разъемы и пассивные компоненты. В состав обоих наборов кроме оценочных плат входит и стандартный магнит 12426.

Внешний вид оценочной платы AG930-07E
Рис. 7. Внешний вид оценочной платы AG930-07E.

Областями применения новых датчиков стали:

  • абсолютные энкодеры;
  • датчики положения валов двигателей;
  • поворотные ручки управления.

Важно отметить, что AAT001-10E и AAT003-10E отличаются широким диапазоном рабочих температур −40…125 °C. По этой причине они могут использоваться в автомобильных приложениях.

Характеристики комбинированного датчика AAT001-10E и AAT003-10E:

  • номинальное сопротивление: 40 кОм (AAT003-10E) и 1.25 МОм (AAT001-10E);
  • точность измерения положения при фиксированной силе магнитного поля: 0.5°;
  • напряжение смещения: −10…10 мВ;
  • температурный коэффициент сопротивления: −0.13 %/°C;
  • диапазон рабочей индукции магнитного поля: 3…20 мТл;
  • максимальное напряжение питания: 5.5 В;
  • диапазон рабочих температур: −40…125 °C
  • корпусное исполнение: 2.5 × 2.5 × 0.8 мм TDFN6.

Характеристики отладочных наборов AG930-07E и AG931-07E:

  • Состав: оценочная плата, магнит 12426;
  • ГМС-датчик: AAT003-10E (для AG930-07E), AAT001-10E (для AG931-07E);
  • Дополнительные элементы оценочной платы: пассивные компоненты, разъемы, двухканальный повторитель на ОУ.

Посмотреть подробнее характеристики ГМС-датчиков от NVE

15 предложений от 8 поставщиков
SENSOR MAGNETIC FIELD TDFN6
AiPCBA
Весь мир
AAT001-10E317 ₽
Utmel
Весь мир
AAT001-10Eот 560 ₽
Элитан
Россия
AAT001-10E1 190 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
AAT00110E25 471 ₽
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя