Система малой и средней мощности на Рисунке 1 обеспечивает интерфейс между широтно-импульсным модулятором и IGBT- или MOSFET-коммутатором верхнего плеча. Ее можно использовать для сопряжения ТТЛ- или КМОП-схем с H-мостом, если буферизировать ее драйвером МОП-транзистора, например, ICL7667 или MIC4423. При положительном напряжении на клемме OA диод D1 проводит ток, заряжая входную емкость полевого транзистора через резистор R1. Значение сопротивления R1 и выходное сопротивление источника управляющего сигнала определяют время включения полевого транзистора. После того, как емкость зарядится, напряжение на резисторе R1 становится равным 0 В, и транзистор Q1 выключается. В течение мертвого времени ШИМ емкость затвора разряжается через Q1 и резистор R2. Сопротивление R2 и коэффициент передачи тока транзистора Q1 определяют время выключения полевого транзистора. Время включения и выключения этой схемы составляет менее 150 нс.
 |
|
| Рисунок 1. | Эту недорогую схему можно использовать для управления MOSFET или IGBT верхнего плеча. |
В системах, требующих более высокой мощности, можно использовать схему с двумя полевыми транзисторами (Рисунок 2). Резисторы R1 и R2, а также выходное сопротивление драйвера ШИМ или полевого транзистора определяют время включения. Сопротивления резисторов R1 и R2, а также значения коэффициентов передачи тока транзисторов Q1 и Q2 определяют время выключения. Диоды Шоттки D3 и D4 предотвращают протекание тока через переходы коллектор-база транзисторов Q1 и Q2 при отрицательном сигнале управления. С помощью этой схемы можно получить времена переключения меньше 50 нс при включении и меньше 100 нс при выключении, в зависимости от выходного сопротивления источника управляющего сигнала, подаваемого на трансформатор.
 |
|
| Рисунок 2. | Два MOSFET, включенных параллельно, обеспечивают бóльшую мощность, чем схема на Рисунке 1. |
