Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Публикации: f1 - 3

Поиск по: "f1"
Найдено: 975 Вывод: 21-30
  1. телевизор работает,но изображение не стабильно,вроде как трясётся.Где смотреть?? не знаю,с таким ещё не сталкивался. Видно что по горизонтали дёргается.На синем кромка как пила. в телевизоре, 100% ... Методика ремонта ТВ доступна в Гугле ... ...
    1 марта 2023
Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка
  1. .. Q2, 3, 6, 7 на плате инверторов. Замена R110 (был оборван) на резистор в 390 Ом на плате инверторов. Замена предохранителя F1 на плате инверторов. Замена одного из NSI6602 на плате инверторов и проверка остальных драйверов путем постановки их ...
    30 января 2023
  1. техническое описание двухкаскадный усилитель мощности низкой частоты (УМЗЧ) Первый каскад - ФНЧ (фильтр низких частот) Второй каскад - УМ (усилитель мощности) технические характеристики: Р(ном) = 100 Вт ( ограниченная мощность, THD < 0.005%, Rн = 4 ...
    5 сентября 2022
  2. Михаил Шустов
    .. в пределах от 2 до 18 с шагом 2. Задающий генератор выполнен на элементе DD1.1 микросхемы CD4093. Частота генерации f1 регулируется потенциометром R2 от 100 Гц до 1 кГц. Коэффициент заполнения импульсов равен 50%. Рисунок 1. Делитель ...
    21 марта 2022
  3. Михаил Шустов
    Схемы Генераторы Texas Instruments CD40106B CD4013B CD4017 CD4520B
    .. фиксированных частот. Генератор ступенчато качающейся частоты, Рисунок 1, позволяет получить на выходах сетки частот f1 и f1/2. Частоту генератора можно задавать ручной ступенчатой установкой, либо ступенчато переключать во времени ...
    13 января 2022
  4. Datasheets ON Semiconductor NXH010P120MNF1PNG
    .. 10 МОм SiC MOSFET NXH010P120MNF1 - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET 10 МОм и термистор NTC в модуле AM F1.
    1 июля 2021
  5. .. 10 МОм SiC MOSFET NXH010P120MNF1 - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET 10 МОм и термистор NTC в модуле AM F1.
    1 июля 2021
  6. .. , в котором MOSFET сконфигурированы полумостом, имеет в открытом состоянии сопротивление 10 мОм и упаковывается в корпус F1, тогда как полумостовое устройство NXH006P120MNF2 с сопротивлением 6 мОм выпускается в корпусе F2. Корпуса с ...
    .. at the same operating temperature. Configured as a 2-PACK half bridge, the NXH010P120MNF1 is a 10 mohm device housed in an F1 package while the NXH006P120MNF2 is a 6 mohm device in an F2 package. The packages feature press-fit pins making them ...
    1 июля 2021
  7. .. восстановления формы исходных сигналов на приемной стороне. Сигналы от генератора прямоугольных импульсов частотой F1 или источника сигнала с широтно-импульсной модуляцией (ГПИ/ШИМ) поступают на RC дифференцирующую цепочку (ДЦ) ...
    3 января 2021
  8. .. в сети. В описании микросхемы сказано: ADE7755 поставляет информацию о средней активной мощности на низкочастотные выходы, F1 и F2. Эти логические выходы могут быть используется для непосредственного привода электромеханического счетчика или ...
    15 июля 2020

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "f1" в других поисковых системах: DataSheet.ru
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка