.. заканчивается, когда оно пересекает уровень срабатывания аналогового таймера U1 1.67 В и сбрасывается через резистор R5 и диод D1 до порогового уровня U1 3.33 В, начиная новый цикл колебаний. Таким образом, результирующие пилообразные ...
.. перед микрофоном, создаст на затворе отрицательный заряд, а избыточный отрицательный заряд легче стекает через внутренний диод затвор-исток JFET, чем положительный заряд, что ускоряет восстановление после любой такой перегрузки). Обратите ...
.. then charge the gate negatively, and excess negative charge drains away more easily through the JFET’s gate-source diode than positive charge can, speeding recovery from any such overload.) Note how the baseline wanders. That is ...
Компания Toshiba Electronics Europe выпустила оптоизолированный драйвер затвора, предназначенный для управления карбидокремниевыми (SiC) MOSFET в индустриальном оборудовании, таком как промышленные инверторы, источники бесперебойного питания и ...
.. operate reliably in temperatures ranging from 40 to 125 C due to the enhanced optical output of the infrared light emitting diode (LED) on the input side and an optimised high-gain, high-speed light-detecting photodiode array, which helps to ...
