Компания Toshiba Electronics Europe выпустила оптоизолированный драйвер затвора, предназначенный для управления карбидокремниевыми (SiC) MOSFET в индустриальном оборудовании, таком как промышленные инверторы, источники бесперебойного питания и фотоэлектрические преобразователи, работающие в жестких температурных условиях. TLP5814H – это высокоинтегрированный драйвер затвора со встроенной схемой активного подавления эффекта Миллера, которая помогает повысить безопасность системы и уменьшить общий размер решения за счет минимизации количества необходимых дополнительных внешних компонентов.
Интегрированная в TLP5814H схема активного подавления токов Миллера имеет сопротивление канала 0.69 Ом (типовое значение) и пиковый ток ограничения 6.8 А. Эти функции помогают предотвратить явление самовключения, характерное для некоторых силовых приборов, таких как SiC MOSFET и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), которые очень чувствительны к изменениям напряжения затвора. Встроенный ограничитель тока Миллера снижает стоимость, размеры и сложность системы, поскольку не требует от разработчиков дополнительного отрицательного источника питания и реализации внешней схемы активной компенсации.
Этот оптоизолированный драйвер затвора может отдавать на rail-to-rail выходе максимальный пиковый ток +6,8/–4,8 А, что помогает улучшить коммутационные характеристики системы и обеспечить стабильную работу. Внутренний экран Фарадея обеспечивает устойчивость к синфазным переходным процессам со скоростью ±70 кВ/мкс (минимум).
 |
| Упрощенная внутренняя схема драйвера TLP5814H. |
TLP5814H может надежно работать в диапазоне температур от –40 до 125 °C благодаря улучшенному оптическому выходу инфракрасного светодиода на входной стороне и оптимизированной матрице быстродействующих высокочувствительных фотодиодов, которые помогают повысить эффективность оптической связи.
Для повышения гибкости разводки платы микросхема TLP5814H предлагается в небольшом корпусе SO8L размером всего 5.85 × 10 × 2.1 мм. Кроме того, минимальная длина пути утечки по этому корпусу составляет 8.0 мм, что делает его пригодным для использования в приложениях, требующих высоких характеристик изоляции.
