Публикации: 2N2222 - 6

51. 2N2222A PBF — Datasheet STMicroelectronics -
    Datasheets
    Datasheet STMicroelectronics 2N2222A PBF Биполярные транзисторы общего примененияST ST MICROELECTRONICS STM SGS-THOMSON Microelectronics
    8 мая 2008

Купить 2N2222 на РадиоЛоцман.Цены — от 0.08 до 321 ₽ 856 предложений от 37 поставщиков Транзисторы (упаковка 10 шт) 2N2222 (NPN, 0.6А, 30В) MCIGICMХарактеристики транзистора 2N2222: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная …
ЗУМ-СМД Россия	2N2222A формованные Hottech	0.08 ₽	Купить
МосЧип Россия	2N2222JANTXV-QR Central Semiconductor	по запросу	Купить

52. Простой КВ-минитрансивер
    Схемы Радио
    .. L , 10/99 Для сборки простого КВ-минитрансивера потребуется всего три транзистора 2N2222 (аналог -КТ315) и одна микросхема LM386 (можно использовать К157УД1). На схеме (рис.1) T1 работает как ...
    16 марта 2008

53. Использование ШИМ контроллера вентилятора в аппаратуре, чувствительной к электромагнитным помехам
    Схемы Применение микроконтроллеров
    .. компонентов рассчитаны для 100мА, 12В, бесщеточного мотора. Используйте распространенные NPN транзисторы, например, 2N2222 для управляющего транзистора Q1 и NPN транзистор, такой как PZT2222A компании Fairchild Semiconductor, ...

    Use a PWM Fan Controller in an EMI-Susceptible Circuit

    .. The listed component values are valid for a 100-mA, 12 V, brushless fan. Use a general-purpose NPN transistor such as the 2N2222 for driver-transistor Q1 and an NPN transistor, such as Fairchild Semiconductor's PZT2222A, that can ...

    23 января 2008
54. Датчики давления Freescale Semiconductor
    Схемы Измерения Freescale Semiconductor
    .. согласования резисторов R3, R4 и R5, R6. Выходной ток с оконечного каскада усилителя а3 усиливается транзистором 2N2222, обеспечивая значение Iвых до 20 мА. Таблица 1. Датчики давления с температурной компенсацией (Сompensated) ...
    11 декабря 2007
55. Радиационностойкие силовые МОП-транзисторы с логическим уровнем управления от International Rectifier (IR)
    Новости Дискретные компоненты International Rectifier IRHLUB7970Z4 IRHLUB770Z4
    30 сентября, 2004 - Корпорация International Rectifier (IR) объявила о начале сертийного производства радиационностойких силовых МОП-транзисторов с логическим уровнем управления затвором, предназначенных для повышения эффективности электронных ...

    International Rectifier (IR) Introduces Radiation-Hardened, Logic-Level MOSFETs that Improve Efficiency

    September 30, 2004 - International Rectifier (IR) introduced new radiation-hardened (RAD-Hard) logic-level gate drive MOSFETs designed to boost efficiency and performance in circuits that traditionally relied on bipolar transistors. The general ...

    28 декабря 2004

Сортировать по: релевантность / дата