Публикации: 650 - 6

51. В новой молодежной лаборатории будут разрабатываться элементы для развития силовых микросхем
    Новости Электронные компоненты Силовая электроника
    .. высоковольтных схем преобразования мощности . Планируется разработать силовые транзисторы под пробивное напряжение порядка 650 В, с максимальным током до 40 А. В рамках достигаемого результата будет построена модель GaNHEMT с затвором р-GaN, ...
    13 января 2023

52. SKPT 25k3/650 — Datasheet Semikron
    Datasheets Semikron SKPT 25k3/650
    Импульсные трансформаторы
    10 декабря 2022

53. SKPT 25p3/650 — Datasheet Semikron
    Datasheets Semikron SKPT 25p3/650
    Импульсные трансформаторы
    10 декабря 2022
54. SKPT 21b3/650 — Datasheet Semikron
    Datasheets Semikron SKPT 21b3/650
    Импульсные трансформаторы
    10 декабря 2022
55. SKPT 21b4/650 — Datasheet Semikron
    Datasheets Semikron SKPT 21b4/650
    Импульсные трансформаторы
    10 декабря 2022
56. SKPT 21b5/650 — Datasheet Semikron
    Datasheets Semikron SKPT 21b5/650
    Импульсные трансформаторы
    10 декабря 2022
57. SKPT 22e3/650 — Datasheet Semikron
    Datasheets Semikron SKPT 22e3/650
    Импульсные трансформаторы
    10 декабря 2022
58. SKPT 27b3/650 — Datasheet Semikron
    Datasheets Semikron SKPT 27b3/650
    Импульсные трансформаторы
    10 декабря 2022
59. SKPT 27b5/650 — Datasheet Semikron
    Datasheets Semikron SKPT 27b5/650
    Импульсные трансформаторы
    10 декабря 2022
60. SKPT 27b10/650 — Datasheet Semikron
    Datasheets Semikron SKPT 27b10/650
    Импульсные трансформаторы
    10 декабря 2022

Сортировать по: релевантность / дата