AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Публикации: 1N5406 R0 - 7

Поиск по: "1N5406 R0"
Найдено: 187 Вывод: 61-70   В том числе: R0 (173); 1N5406 (16).
  1. Datasheet PSMN8R0-40BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 77 А, D2PAK
    Наименование модели: PSMN8R0-40BS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 77 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN8R0-40BS N-channel 40 V 7.6 m standard level MOSFET in D2PAK Rev. 2 -- 2 March ...
    9 сентября 2012
  2. 864 предложений от 38 поставщиков
    Выпрямительные диоды.Тип монтажа: СквознойСхема включения диодов: ОдиночныйМаксимальное обратное напряжение (Vrrm), В: 600Максимальный прямой ток, А: 3Прямое падение …
    ЗУМ-СМД
    Россия
    1N5406
    Luguang Electronic Technology
    0.27 ₽
    AllElco Electronics
    Весь мир
    1N5406TA
    1.25 ₽
  1. Datasheet PSMN7R0-30MLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 67 А, LFPAK33
    Наименование модели: PSMN7R0-30MLC Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 67 А, LFPAK33 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PA K PSMN7R0-30MLC N-channel 30 V 7 m logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower ...
    9 сентября 2012
  1. Datasheet PSMN7R0-100XS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 55 А, TO220F
    Наименование модели: PSMN7R0-100XS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 55 А, TO220F Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TO -2 20F PSMN7R0-100XS N-channel 100V 6.8 m standard level MOSFET in TO220F (SOT186A) ...
    9 сентября 2012
  2. Datasheet PSMN7R0-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 100 А, D2PAK
    Наименование модели: PSMN7R0-100BS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 100 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN7R0-100BS N-channel 100V 6.8 m standard level MOSFET in D2PAK. Rev. 2 -- 2 ...
    9 сентября 2012
  3. Datasheet PSMN5R0-80BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 100 А, D2PAK
    Наименование модели: PSMN5R0-80BS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 100 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN5R0-80BS N-channel 80 V, 5.1 m standard level MOSFET in D2PAK Rev. 1 -- 20 ...
    9 сентября 2012
  4. Datasheet PSMN3R0-60BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK
    Наименование модели: PSMN3R0-60BS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN3R0-60BS N-channel 60 V 3.2 m standard level MOSFET in D2PAK Rev. 1 -- 22 March ...
    8 сентября 2012
  5. Datasheet PSMN3R0-30MLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 70 А, LFPAK33
    Наименование модели: PSMN3R0-30MLC Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 70 А, LFPAK33 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PA K PSMN3R0-30MLC N-channel 30 V 3.15 m logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower ...
    8 сентября 2012
  6. Datasheet PSMN2R0-30BL - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK
    Наименование модели: PSMN2R0-30BL Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN2R0-30BL N-channel 30 V 2.1 m logic level MOSFET in D2PAK Rev. 1 -- 20 March ...
    8 сентября 2012
  7. Datasheet MM908E625ACPEK - Freescale Даташит Микроконтроллеры (MCU) R0 HI-BRDG EMBED микроконтроллер LIN
    .. модели: MM908E625ACPEK Производитель: Freescale Описание: Микроконтроллеры (MCU) R0 HI-BRDG EMBED микроконтроллер LIN Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Freescale Semiconductor Technical ...
    22 августа 2012
  8. Продуктовая линейка индуктивных компонентов компании Bourns пополнилась новой серией силовых индуктивностей CVH252009 , созданной по усовершенствованной многослойной технологии, позволившей изготавливать малогабаритные приборы с большим допустимым ...
    Bourns Inductive Components Product Line introduces the new CVH252009 Series Power Chip Inductor which utilizes advanced multilayer technology to achieve a small size while still providing sufficient current handling capability for power ...
    30 июля 2012

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "1N5406 R0" в других поисковых системах: DataSheet.ru
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка