Публикации: ��������� ��� ������������ - 10

Проблема появилась после простоя аппарата в межсезонье с отключенным аккумулятором (возможно, без аккумулятора аппарат потерял настройки, хранящиеся в памяти). Аккумулятор исправен и полностью заряжен. Включаем, аппарат пищит, показывает ошибку E06 ...

Представленную на Рисунке 1 схему я разработал как часть системы передачи данных с амплитудной манипуляцией несущей частоты 400 кГц. Рисунок 1. Схема цифрового делителя частоты, которая обнаруживает наличие несущей частоты 400 кГц, отличая ее от ...

Компания Littelfuse объявила о выпуске двух новых магнитных TMR-датчиков углового положения LF53466 и LF53464 , предназначенных для высокоточных угловых измерений в диапазоне 0 360 в суровых условиях с минимальным температурным дрейфом. В обоих ...

Центр палладиевых технологий Норникеля совместно с НИТУ МИСИС представили первые масштабируемые образцы полупрозрачных солнечных модулей из перовскитов для установки на стеклянных фасадах и крышах зданий. Технология Building Integrated ...

В сентябре 2025 года компанией Дизайн Центр Союз были получены опытные образцы датчиков температуры К5306НТ04П/У/Т, К5306НТ04АУ/АТ и К5306НТ04ВУ/ВТ. К5306НТ04П/У/Т Интегральный цифровой датчик температуры промышленного применения с 1-Wire ...

В аэропорту Анадыря на Чукотке установлена инструментальная система посадки ILS 2700 Производственная компания Азимут Госкорпорации Ростех оснастила аэропорт Анадыря на Чукотке инструментальной системой посадки ILS 2700. Оборудование поможет ...

Разработка АО Информационные спутниковые системы имени академика М. Ф. Решетнёва (входит в Роскосмос) обеспечивает устойчивую двухстороннюю передачу данных для абонентов на транспорте. Специалисты компании РЕШЕТНЁВ создали абонентский терминал ...

Разработка, производство и продажай электронных компонентов, в частности, разъемов D-SUB и RJ45.
Читать еще

20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.

20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.