Публикации: N-канальный, 1500

1. Типовые области применения полевых транзисторов
   Datasheets
   .. длин волн КП905 полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц КП907 полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот ...
   23 сентября 2009

Купить N-канальный, 1500 на РадиоЛоцман.Цены — от до 160 320 ₽ 523 предложений от 18 поставщиков Пульт радиоуправления летательным аппаратом. Позволяет управлять самолетами, вертолетами, планерами. Высокая чувствительность приема при низкой мощности потребления. …
Берёзка Электронные Компоненты Россия	(2023г) Реле малой мощности постоянного тока 2-канальное (1-на размыкание,1-на замыкание) Iком=320мА, Uком= 40В	₽	Купить
Софт-Логистик Россия	HCPL-316J-500E, 2-канальный драйвер IGBT 2.5A SOIC-16	434 ₽	Купить

2. Vishay Intertechnology представила новый, мощный n-канальный автомобильный TrenchFET MOSFET с пониженным сопротивлением канала
   Новости Дискретные компоненты Авто Силовая электроника Цифровые Vishay SQM200N04-1m1L
   Vishay Intertechnology представила новый мощный, n-канальный TrenchFET MOSFET на напряжение 40 В, соответствует требованиям стандарта AEC-Q101. Разработанный для использования в автомобильных системах, SQM200N04-1m1L первый мощный MOSFET компании ...

   Automotive AEC-Q101-Qualified, 40 V N-Channel TrenchFET® Power MOSFET With Low OnResistance Down to 1.1 mΩ and Continuous Drain Current of 200 A in 7-Pin D2PAK Packaging

   Vishay Intertechnology announces a new AEC-Q101-qualified, 40 V n-channel TrenchFET power MOSFET. For automotive applications, the SQM200N04-1m1L is Vishay’s first power MOSFET to feature 7-pin D 2 PAK packaging, which is engineered for low ...

   10 декабря 2012

3. Vishay Intertechnology представляет новый 25-вольтовый N-канальный MOSFET с самым низким в мире сопротивлением канала
   Новости Дискретные компоненты Питание Силовая электроника Vishay SiRA20DP
   Устройство с сопротивлением открытого канала 0.58 мОм при напряжении затвора 10 В и низким зарядом затвора 61 нКл в компактном корпусе PowerPAK SO-8 Vishay Intertechnology представила новый мощный 25-вольтовый N-канальный MOSFET, основанный на IV ...

   New Vishay Intertechnology 25 V N-Channel Power MOSFET Offers Industry-Low On-Resistance for Increased Efficiency and Power Density

   Device Features Maximum On-Resistance of 0.58 mΩ at 10 V and Low Gate Charge of 61 nC in Compact PowerPAK® SO-8 Single Package Vishay Intertechnology introduced a new 25 V n-channel TrenchFET® Gen IV power MOSFET that features the ...

   27 ноября 2017
4. MRF1550NT1 — Datasheet Freescale -
   Datasheets Freescale MRF1550NT1
   Наименование модели: MRF1550NT1 Производитель: Freescale Описание: Транзистор, полевой транзистор, n-канальный, 40 В V(BR)DSS, 12 А I(D), TO-272
   24 марта 2011
5. IRFH6200TRPBF — Datasheet International Rectifier -
   Datasheets International Rectifier IRFH6200TRPBF
   

   Наименование модели: IRFH6200TRPBF Производитель: International Rectifier Описание: N-канальный полевой транзистор, 20 В, 100 А, PQFN-8 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 20 ...
   2 апреля 2011
6. NTE2993 — Datasheet NTE Electronics -
   Datasheets NTE Electronics NTE2993
   Наименование модели: NTE2993 Производитель: NTE Electronics Описание: Транзистор, полевой транзистор, n-канальный, 400 В V(BR)DSS, 14 А I(D), TO-3
   22 декабря 2012
7. NTE2900 — Datasheet NTE Electronics -
   Datasheets NTE Electronics NTE2900
   Наименование модели: NTE2900 Производитель: NTE Electronics Описание: Транзистор, полевой транзистор, n-канальный, 250 В V(BR)DSS, 14 А I(D), TO-220AB RoHS: есть
   4 апреля 2011
8. Vishay представляет 200-вольтовый n-канальный MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала
   Новости Дискретные компоненты Vishay SiSS94DN
   Устройство в корпусе площадью 10.89 мм 2 имеет типовое сопротивление открытого канала 61 мОм и показатель качества 854 мОм нКл Vishay Intertechnology представила новый 200-вольтовый n-канальный MOSFET с самым низким в отрасли типовым сопротивлением ...

   Vishay Intertechnology 200 V N-Channel MOSFET in PowerPAK 1212‑8S Offers Industry-Low RDS(ON) to Increase Power Density, Save Energy

   TrenchFET® Device Offers Typical RDS(ON) of 61 mΩ and FOM of 854 mΩ nC in 10.89 mm 2 Package Vishay Intertechnology introduced a new 200 V n-channel MOSFET that offers industry-low typical on-resistance of 61 mΩ at 10 V in the ...

   28 сентября 2020
9. NTE2974 — Datasheet NTE Electronics -
   Datasheets NTE Electronics NTE2974
   Наименование модели: NTE2974 Производитель: NTE Electronics Описание: Транзистор, полевой транзистор, n-канальный, 600 В V(BR)DSS, 6 А I(D), TO-220AB
   4 апреля 2011
10. Vishay Intertechnology представляет лучший в своем классе 30-вольтовый n-канальный MOSFET
    Новости Силовая электроника Vishay SiSS52DN
    Vishay Intertechnology представила новый универсальный 30-вольтовый n-канальный MOSFET, изготавливаемый по технологии TrenchFET пятого поколения и обеспечивающий повышенные значения плотности мощности и КПД как для изолированных, так и для ...

    Vishay Intertechnology Best in Class 30 V N-Channel MOSFET Delivers High Power Density and Efficiency for Isolated and Non-Isolated Topologies

    Vishay Intertechnology introduced a versatile new 30 V n-channel TrenchFET® Gen V power MOSFET that delivers increased power density and efficiency for both isolated and non-isolated topologies. Offered in the 3.3 mm by 3.3 mm thermally ...

    27 мая 2021

Сортировать по: релевантность / дата