Муфты электромонтажные от производителя Fucon
РадиоЛоцман - Все об электронике

Vishay Intertechnology представила новый, мощный n-канальный автомобильный TrenchFET MOSFET с пониженным сопротивлением канала

Vishay SQM200N04-1m1L

Vishay Intertechnology представила новый мощный, n-канальный TrenchFET MOSFET на напряжение 40 В, соответствует требованиям стандарта AEC-Q101. Разработанный для использования в автомобильных системах, SQM200N04-1m1L – первый мощный MOSFET компании Vishay в 7-выводном корпусе D2PAK, обладающий низким сопротивлением в открытом состоянии и большим допустимым током.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Vishay - SQM200N04

Особенности продукта

  • Соответствует требованиям автомобильного стандарта AEC-Q101
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии: 1.1 мОм (макс.) при напряжении 10 В и 1.3 мОм (макс.) при напряжении 4.5 В
    • Низкое сопротивление RDS(ON) до минимума сокращает потери проводимости
  • Позволяет разработчикам создавать особо надежные конструкции
    • Продолжительный ток стока до 200 А
    • Лавинный ток в одиночного импульса до 100 А при энергии до 500 мДж
  • Низкое тепловое сопротивление кристалл-корпус: 0.4 °C/Вт
  • Широкий диапазон рабочих температур от –55 °C до +175 °C
  • Соответствует требованиям директивы RoHS и не содержит галогенов
  • 100% выходной контроль на соответствие параметров RG и UIS.

Назначение

  • Мощные системы управления автомобильными моторами, включая электрический привод рулевого управления.

Основные характеристики

  • Корпус: 7-выводной D2PAK
  • VDS: 40 В
  • VGS: 20 В
  • ID: 200 A
  • RDS(ON):
    • 1.1 мОм при 10 В
    • 1.3 мОм при 4.5 В
  • Тепловое сопротивление кристалл-корпус: 0.4 °C/Вт
  • Лавинный ток одиночного импульса: 100 A
  • Лавинная энергия одиночного импульса: 500 мДж
  • Диапазон рабочих температур от –55 °C до +175 °C.

Применение

Разработанный для использования в автомобильных системах, SQM200N04-1m1L объединяет преимущества 7-выводного корпуса D2PAK с n-канальной технологией высокой плотности третьего поколения TrenchFET Gen III. В результате, сверхнизкое сопротивление открытого канала составляет максимум 1.1 мОм при 10 В, что минимизирует потери проводимости и, таким образом, снижает типичную рабочую температуру устройства.

SQM200N04-1m1L производится с использованием специальных технологий и материалов, разработанных Vishay для приборов автоэлектроники, включая корпус, позволяющий создавать выносливые автомобильные конструкции, безотказно работающие при токах до 200 А.

Доступность

Как единичные образцы, так и партии новых мощных автомобильных MOSFET доступны уже сегодня. Сроки поставки при крупных заказах составляют от 14 до 16 недель.

Перевод: Виктор Чистяков по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Automotive AEC-Q101-Qualified, 40 V N-Channel TrenchFET® Power MOSFET With Low OnResistance Down to 1.1 mΩ and Continuous Drain Current of 200 A in 7-Pin D2PAK Packaging

10 предложений от 6 поставщиков
200A, 40V, 0.0011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263-7L, D2PAK-7/6
AiPCBA
Весь мир
SQM200N04-1M1L-GE3
Vishay
249 ₽
ChipWorker
Весь мир
SQM200N04-1M1L-GE3
Vishay
255 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SQM200N041M1L_GE3
22 582 ₽
SQM200N04-1M1L-GE3
по запросу
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя