Vishay выпустила новый 8-вольтовый мощный TrenchFET® MOSFET транзистор с каналом p-типа, имеющий наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди подобных устройств в корпусе 1.6 × 1.6 мм с высотой менее 0.8 мм. Кроме того, SiB437EDKT – это единственный в своем классе прибор, для которого гарантируется переход в открытое состоянии при напряжении затвора менее 1.2 В.
Новый транзистор SiB437EDKT может быть использован для переключения нагрузки в таких устройствах, как смартфоны, MP3-плееры, портативные медиаплееры, цифровые камеры, электронные книги и планшетные ПК. Компактный размер корпуса Thin PowerPAK SC-75 с уменьшенным температурным сопротивлением и сверхнизкий профиль (0.65 мм) позволяют снижать размеры конечных устройств, в то время, как благодаря малому сопротивлению открытого транзистора, снижаются потери при переключении, уменьшается энергопотребление и увеличивается срок службы аккумуляторов в этих устройствах.
Параметры MOSFET-транзистора, нормированные для напряжений открывания 1.5 и 1.2 В, позволяют прибору работать в портативных устройствах с низковольтными драйверами затвора и меньшими напряжениями шин питания, и дают возможность, отказавшись от схем смещения уровней, сэкономить средства и площадь печатной платы. Этот MOSFET транзистор особенно полезен тогда, когда заряд батареи портативных устройств подходит к концу, и необходимо снизить энергопотребление, на сколько возможно.
SiB437EDKT обеспечивает ультра низкое сопротивление в открытом состоянии:
- 34 мОм при напряжении затвора 4.5 В,
- 63 мОм при напряжении затвора 1.8 В,
- 84 мОм при напряжении затвора 1.5 В,
- 180 мОм при напряжении затвора 1.2 В.
Ближайшие конкурирующие устройства в корпусах 1.6 × 1.6 мм высотой менее 0.8 мм обеспечивают только 37 мОм при 4.5 В, 65 мОм при 1.8 В и 100 мОм при 1.5 В. А это на 8%, 5% и 16%, соответственно, хуже, чем у SiB437EDKT.
SiB437EDKT не содержит галогенов, в соответствии с IEC 61249-2-21, и удовлетворяет требованиям директивы RoHS. 100% приборов тестируются на соответствие параметра Rg (сопротивлении затвора). MOSFET транзистор имеет защиту от электростатических разрядов до 2 кВ.
