MOSFET транзисторы Vishay нового поколения имеют сопротивление открытого канала 1 мОм

Новое семейство транзисторов имеет наименьшее в отрасли сопротивление открытого канала при напряжении затвора 4.5 В

Vishay Intertechnology представила первые приборы нового семейства мощных n-канальных 30-вольтовых MOSFET транзисторов, изготовленных по технологии TrenchFET Gen IV. Созданные на основе топологии кристаллов с повышенной плотностью ячеек, транзисторы SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP и SiSA04DN выпускаются в корпусах PowerPAK SO-8 и 1212-8, имеют рекордно низкое среди аналогичных приборов отрасли сопротивление канала 1.35 мОм при напряжении затвора 4.5 В и невысокий заряд Миллера (до 1.8 нКл).

Воплотившие в себе последние достижения Vishay в технологиях конструирования, изготовления и корпусирования, мощные транзисторы открывают широкие возможности для разработчиков современных силовых электронных устройств. При значительном, по сравнению с приборами предыдущего поколения, сокращении площади активной области кристалла, SiRA00DP демонстрирует экстремально низкое сопротивление R_DS(ON) = 1.0 мОм при напряжении затвора 10 В и рекордное для отрасли значение 1.35 мОм при напряжении 4.5 В. Конструкторы теперь получают возможность еще больше снизить потери проводимости, уменьшить рассеиваемую мощность и повысить эффективность устройств.

Новая структура MOSFET приборов TrenchFET Gen IV позволяет размещать транзисторы на кристаллах намного меньшего размера без существенного увеличения заряда затвора, решая, таким образом, проблему, характерную для устройств с большим количеством транзисторных ячеек. Вследствие низкого заряда затвора уменьшается и его произведение на сопротивление канала. Так, например, транзистор SiRA04DP при напряжении 4.5 В имеет комплексный показатель качества всего 56 нКл•Ом.

SiRA00DP, SiRA02DP и SiRA04DP выпускаются в корпусе PowerPAK SO-8 размером 6.15 × 5.15 мм. Приборы SiSA04DN, имея примерно такую же эффективность, выпускаются в корпусе PowerPAK 1212-8 втрое меньшей площади (3.30 × 3.30 мм). Все устройства имеют отношение зарядов Q_GD/Q_GS равное 0.5, или меньше, что уменьшает влияние эффекта Миллера.

PowerPAK SO-8 в сравнении с корпусом SO-8	PowerPAK 1212-8

Конструкция SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP и SiSA04DN оптимизирована для использования приборов в составе DC/DC преобразователей с высокой плотностью мощности, в синхронных выпрямителях, синхронных понижающих преобразователях и схемах резервирования питания. Типичный перечень устройств, в которых найдут применение новые транзисторы, включает в себя импульсные источники питания, VRM (модули регулирования напряжения), системы распределенного питания, блоки телекоммуникационного оборудования, персональные компьютеры и серверы.

Приборы TrenchFET Gen IV проходят 100-процентный выходной контроль параметров R_G и UIS. По содержанию вредных веществ и галогенов все транзисторы соответствуют предписаниям директив RoHS и IEC 61249-2-21.

Технические характеристики:

Транзисторы TrenchFET Gen IV уже выпускаются серийно. Срок поставки промышленных партий – 12 недель, образцы для испытаний предоставляются немедленно.