МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 15,3 мОм, D2PAK − 7L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с ...
.. открытого канала на площадь кристалла для устройств с пробивным напряжением 650 В. Транзисторы NVBG015N065SC1 , NTBG015N065SC1 , NVH4L015N065SC1 и NTH4L015N065SC1 имеют самое низкое сопротивление открытого канала (12 ...
.. enabling best in class figure of merit R SP (R DSON ×area) for 650 V breakdown voltage. The NVBG015N065SC1 , NTBG015N065SC1 , NVH4L015N065SC1 and NTH4L015N065SC1 have the lowest R DSON (12 mOhm) in the market in ...
.. качества произведение сопротивления открытого канала на площадь кристалла. Устройства этой серии, такие как NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 и NTH4L015N065SC, имеют самые низкие сопротивления открытых каналов среди ...
.. a best-in-class figure of merit (FoM) for (R DS(on) ×area). Devices in the series such as the NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 and NTH4L015N065SC offer the lowest R DS(on) in the market for D2PAK7L / ...
1 июля 2021
Поиск "NTBG015N065SC1" в других поисковых системах: DataSheet.ru
Купить NTBG015N065SC1 на РадиоЛоцман.Цены — от 760 до 6 351 ₽
