Силовой полевой транзистор TMOS E-FET - Кремниевый затвор с N-канальным режимом расширения - TMOS Power FET 2,0 А, 500 Вольт RDS (вкл.) = 3,6 Ом - Корпус 221A – 06, стиль 5, TO – 220AB В этом высоковольтном полевом МОП-транзисторе используется ...
Кремниевый затвор N-канального режима расширения, устаревший – без запасной части В этом высоковольтном МОП-транзисторе используется усовершенствованная схема согласования, обеспечивающая расширенные возможности блокировки напряжения без ухудшения ...
P Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS Power FET Logic Level 15 Amperes 60 Volts RDS(on) = 175 MΩ This advanced high cell density HDTMOS E FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy ...
