Datasheets: транзисторов - 7

Вид: Список / Картинки

121. IRFP254 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы Vishay IRFP254
     

     .. выводов: 3 Current Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Расстояние между выводами: 5.45 мм Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-247AC Power Dissipation Pd: 190 Вт Pulse Current Idm: 92 А Дополнительные ...

Купить транзисторов на РадиоЛоцман.Цены — от до 45 000 ₽ 1000 предложений от 8 поставщиков Характеристики транзистора КТ3107Е :Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 25 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение …
Зенер Россия и страны ТС	оединители Гнезда для микросхем, транзисторов - Переходники	₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IR3315PBF Транзистор ф IR	по запросу	Купить

122. IRG4IBC30UD — Datasheet International Rectifier -
     IGBT транзисторы International Rectifier IRG4IBC30UD
     

     .. Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Max Current Ic Continuous a: 17 А Max Fall Time: 180 нс Количество транзисторов: 1 Power Dissipation: 45 Вт Power Dissipation Pd: 45 Вт Pulsed Current Icm: 92 А Rise Time: 21 нс ...
123. BC441 — Datasheet Magnatec -
     Биполярные транзисторы Magnatec BC441
     

     .. a Max: 2 А DC Current Gain: 500 мА Частота единичного усиления минимальная: 50 МГц DC Current Gain Min: 40 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-39 Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт Способ монтажа: Through Hole RoHS: ...
124. BUZ900D — Datasheet Semelab -
     Полевые транзисторы Semelab BUZ900D
     

     .. 2 Current Id Max: 16 А Current Temperature: 25°C Маркировка: BUZ900D Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-3 Power Dissipation Pd: 250 Вт Способ монтажа: Through Hole Threshold Voltage ...
125. HUF76121P3 — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы Fairchild HUF76121P3
     

     .. Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Max On State Resistance: 0.021 Ом Max Voltage Vgs th: 3 В Количество транзисторов: 1 Power Dissipation Pd: 75 Вт Тип транзистора: MOSFET Дополнительные аксессуары: Fischer ...
126. PUMH19 — Datasheet NXP -
     Биполярные транзисторные сборки и модули NXP PUMH19
     

     .. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество выводов: 6 Тип корпуса: SOT-363 Количество транзисторов: 2 Способ монтажа: SMD Тип транзистора: Small Signal Digital DC Current Gain: 1 мА Full Power ...
127. SKM 150GB128D — Datasheet Semikron -
     IGBT модули и транзисторные сборки Semikron SKM 150GB128D
     

     .. Корпус транзистора: SEMITRANS 3 External Depth: 61.4 мм Внешняя длина / высота: 30.5 мм Внешняя ширина: 106.4 мм Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SEMITRANS 3 Способ монтажа: Screw Тип транзистора: Av Current Ic: 200 А Current ...
128. ATF-33143-BLKG — Datasheet Avago Technologies -
     Полевые транзисторы Avago Technologies ATF-33143-BLKG
     

     .. Id Max: 305 мА Частота единичного усиления минимальная: 450 МГц Частота единичного усиления типовая: 10 ГГц Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-343 Pulse Current Idm: 305 мА SMD Marking: 3Px Способ монтажа: SMD Voltage ...
129. SKM400GB126D — Datasheet Semikron -
     IGBT модули и транзисторные сборки Semikron SKM400GB126D
     

     .. 1.2 кВ Корпус транзистора: SEMITRANS 3 Количество выводов: 7 External Depth: 61.4 мм Внешняя ширина: 105 мм Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SEMITRANS 3 Способ монтажа: Screw Полярность транзистора: N Channel Тип ...
130. SEMIX 202GB066HD — Datasheet Semikron -
     IGBT модули и транзисторные сборки Semikron SEMIX 202GB066HD
     

     .. 600 В Корпус транзистора: SEMiX 2 SVHC: No SVHC (18-Jun-2010) External Depth: 61.6 мм Внешняя ширина: 116.5 мм Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SEMiX 2 Тип транзистора: Av Current Ic: 240 А Current Ic Continuous a Max: 240 А ...
131. IKW75N60T — Datasheet Infineon -
     IGBT транзисторы Infineon IKW75N60T
     

     .. 600 В Operating Temperature Range: -40°C to +175°C Корпус транзистора: TO-247 Current Ic Continuous a Max: 75 А Количество транзисторов: 1 Package / Case: TO-247 Power Dissipation: 428 Вт Termination Type: Through Hole Полярность ...
132. IKP10N60T — Datasheet Infineon -
     IGBT транзисторы Infineon IKP10N60T
     

     .. 600 В Operating Temperature Range: -40°C to +175°C Корпус транзистора: TO-220 Current Ic Continuous a Max: 10 А Количество транзисторов: 1 Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 110 Вт Termination Type: Through Hole Полярность ...
133. SK9GD065 — Datasheet Semikron -
     IGBT модули и транзисторные сборки Semikron SK9GD065
     

     .. Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 В Корпус транзистора: SEMITOP 2 Количество выводов: 11 SVHC: No SVHC (18-Jun-2010) Количество транзисторов: 6 Тип корпуса: SEMITOP 2 Способ монтажа: Screw Тип транзистора: Av Current Ic: 11 А Current Ic ...
134. BDT82 — Datasheet Semelab -
     Биполярные транзисторы Semelab BDT82
     

     .. постоянный максимальный: 15 А DC Current Gain: 5 А Full Power Rating Temperature: 25°C DC Current Gain Min: 40 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-220 (SOT-78B) Рассеиваемая мощность максимальная: 125 Вт Тип транзистора: ...
135. ATF-34143-BLKG — Datasheet Avago Technologies -
     Полевые транзисторы Avago Technologies ATF-34143-BLKG
     

     .. Id Max: 145 мА Частота единичного усиления минимальная: 450 МГц Частота единичного усиления типовая: 10 ГГц Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-343 Pulse Current Idm: 60 мА SMD Marking: 4Px Способ монтажа: SMD Voltage Vds ...
136. IRG4PC20UPBF — Datasheet International Rectifier -
     IGBT транзисторы International Rectifier IRG4PC20UPBF
     

     .. 3 Корпус: TO-247 Current Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Max Current Ic Continuous a: 15 А Количество транзисторов: 1 Power Dissipation Pd: 200 Вт Pulsed Current Icm: 196 А Rise Time: 44 нс Полярность ...
137. BUV98AV — Datasheet STMicroelectronics -
     Биполярные транзисторы STMicroelectronics BUV98AV
     

     .. Ic Continuous a Max: 30 А DC Current Gain: 24 А Full Power Rating Temperature: 25°C DC Current Gain Min: 9 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: ISOTOP Рассеиваемая мощность максимальная: 150 Вт Способ монтажа: Screw RoHS: ...
138. ZTX553 — Datasheet Diodes -
     Биполярные транзисторы Diodes ZTX553
     

     .. Continuous a Max: 1 А Current Ic hFE: 150 мА DC Current Gain hFE: 40 Gain Bandwidth ft Min: 150 МГц Hfe Min: 40 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: E-Line Pin Configuration: e Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт Способ ...
139. TIPP31C — Datasheet Bourns -
     Биполярные транзисторы Bourns TIPP31C
     

     .. Current Ic Max: 2 А Current Ic Continuous a Max: 2 А Current Ic hFE: 1 А Маркировка: TIPP31C Hfe Min: 20 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-92 Pin Configuration: А Power Dissipation Pd: 800 мВт Рассеиваемая мощность ...
140. IRG4IBC20W — Datasheet International Rectifier -
     IGBT транзисторы International Rectifier IRG4IBC20W
     

     .. Temperature: 25°C Fall Time Tf: 64 нс Full Power Rating Temperature: 25°C Max Current Ic Continuous a: 11.8 А Количество транзисторов: 1 Power Dissipation: 34 Вт Power Dissipation Pd: 34 Вт Pulsed Current Icm: 52 А Rise Time: 14 нс ...

Сортировать по: релевантность / дата