Datasheets: транзисторов - 8

Вид: Список / Картинки

141. FDS6982 — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы Fairchild FDS6982
     

     .. SVHC (15-Dec-2010) Cont Current Id N Channel 2: 8.6 А Cont Current Id N Channel 3: 6.3 А Current Id Max: 8.6 А Количество транзисторов: 2 On State Resistance Channel 1: 15 МОм On State Resistance N Channel 2: 28 МОм Тип корпуса: ...

Купить транзисторов на РадиоЛоцман.Цены — от до 45 000 ₽ 1000 предложений от 8 поставщиков Характеристики транзистора КТ3107Е :Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 25 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение …
Зенер Россия и страны ТС	оединители Гнезда для микросхем, транзисторов - Переходники	₽	Купить
Софт-Логистик Россия	IRG4RC10SPBF, Транзистор IGBT 600В 14А 1кГц, [D-PAK] Infineon	66 ₽	Купить

142. SI4966DY — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторные сборки и модули Vishay SI4966DY
     

     .. диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: SOIC Количество выводов: 8 Current Id Max: 7.1 А Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SOIC Способ монтажа: SMD N-channel Gate Charge: 25nC On State Resistance @ Vgs = ...
143. FDR8508P — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторные сборки и модули Fairchild FDR8508P
     

     .. Threshold Voltage Vgs Typ: -1.8 В Power Dissipation: 0.8 Вт Корпус транзистора: Super-SOT Количество выводов: 8 Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SuperSOT-8 Способ монтажа: SMD Тип транзистора: MOSFET Continuous Drain Current ...
144. ZTX603 — Datasheet Diodes -
     Биполярные транзисторы Diodes ZTX603
     

     .. 1 А DC Current Gain hFE: 5000 Full Power Rating Temperature: 25°C Gain Bandwidth ft Min: 150 МГц Hfe Min: 2000 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: E-Line Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт Способ монтажа: Through Hole Тип ...
145. IRFR420 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы Vishay IRFR420
     

     .. Depth: 10.5 мм Внешняя длина / высота: 2.55 мм Внешняя ширина: 6.8 мм Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-252 (D-Pak) Power Dissipation Pd: 42 Вт Pulse Current Idm: 8 А SMD Marking: ...
146. MJ11028 — Datasheet Semelab -
     Биполярные транзисторы Semelab MJ11028
     

     .. Ic Continuous a Max: 50 А DC Current Gain: 25 А Full Power Rating Temperature: 25°C DC Current Gain Min: 1000 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA) Рассеиваемая мощность максимальная: 300 Вт Тип транзистора: Power ...
147. BUZ900 — Datasheet Semelab -
     Полевые транзисторы Semelab BUZ900
     

     .. TO-204AA Current Id Max: 8 А Current Temperature: 25°C Маркировка: BUZ900 Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-3 Power Dissipation Pd: 125 Вт Способ монтажа: Through Hole Threshold Voltage ...
148. PUMH15 — Datasheet NXP -
     Биполярные транзисторные сборки и модули NXP PUMH15
     

     .. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество выводов: 6 Тип корпуса: SOT-363 Количество транзисторов: 2 Способ монтажа: SMD Тип транзистора: Small Signal Digital DC Current Gain: 10 мА Full Power ...
149. DIM250WHS06-S000 — Datasheet Dynex -
     IGBT модули и транзисторные сборки Dynex DIM250WHS06-S000
     

     .. транзистора: N Channel Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: Вт Current Ic @ Vce Sat: 250 А Current Ic Continuous a Max: 250 А Current ...
150. FMG2G50US60 — Datasheet Fairchild -
     IGBT модули и транзисторные сборки Fairchild FMG2G50US60
     

     .. Voltage Vces: 2.8 В Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Корпус транзистора: 7PM-GA External Depth: 93 мм Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: 7PM-GA Pin Configuration: C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1 Способ монтажа: Screw Тип ...
151. IRG4PSC71UDPBF — Datasheet International Rectifier -
     IGBT транзисторы International Rectifier IRG4PSC71UDPBF
     

     .. Ic Continuous a Max: 85 А Current Temperature: 25°C Fall Time Max: 167 нс Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Package / Case: Super-247 Power Dissipation: 350 Вт Power Dissipation Pd: 350 Вт Pulsed ...
152. BUZ906DP — Datasheet Semelab -
     Полевые транзисторы Semelab BUZ906DP
     

     .. TO-264 Количество выводов: 3 Current Id Max: -16 А Current Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-264 Power Dissipation Pd: 250 Вт Способ монтажа: Through Hole Threshold ...
153. BUT32V — Datasheet STMicroelectronics -
     Биполярные транзисторы STMicroelectronics BUT32V
     

     .. Ic Continuous a Max: 80 А DC Current Gain: 40 А Full Power Rating Temperature: 25°C DC Current Gain Min: 16 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: ISOTOP Рассеиваемая мощность максимальная: 250 Вт Способ монтажа: Screw RoHS: ...
154. IKW20N60T — Datasheet Infineon -
     IGBT транзисторы Infineon IKW20N60T
     

     .. транзистора: TO-247 SVHC: Cobalt dichloride (18-Jun-2010) Корпус: TO-247 Max Current Ic Continuous a: 20 А Количество транзисторов: 1 Power Dissipation: 166 Вт Termination Type: Through Hole Полярность транзистора: N Channel ...
155. IRG4RC10UDPBF — Datasheet International Rectifier -
     IGBT транзисторы International Rectifier IRG4RC10UDPBF
     

     .. 3 Корпус: D-PAK Current Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Max Current Ic Continuous a: 5 А Количество транзисторов: 1 Power Dissipation: 38 Вт Power Dissipation Pd: 38 Вт Pulsed Current Icm: 34 А Rise Time: 16 нс ...
156. BUT232V — Datasheet STMicroelectronics -
     Биполярные транзисторы STMicroelectronics BUT232V
     

     .. Ic Continuous a Max: 140 А DC Current Gain: 70 А Full Power Rating Temperature: 25°C DC Current Gain Min: 17 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: ISOTOP Рассеиваемая мощность максимальная: 300 Вт Способ монтажа: Screw RoHS: ...
157. PUMB9 — Datasheet NXP -
     Биполярные транзисторные сборки и модули NXP PUMB9
     

     .. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество выводов: 6 Тип корпуса: SOT-363 Количество транзисторов: 2 Способ монтажа: SMD Тип транзистора: Small Signal Digital DC Current Gain: 5 мА Full Power ...
158. TIP121 — Datasheet Multicomp -
     Биполярные транзисторы Multicomp TIP121
     

     .. Ic Continuous a Max: 5 А DC Current Gain: 3 А Full Power Rating Temperature: 25°C DC Current Gain Min: 1000 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-220 (SOT-78B) Рассеиваемая мощность максимальная: 65 Вт Тип транзистора: Power ...
159. PUMB20 — Datasheet NXP -
     Биполярные транзисторные сборки и модули NXP PUMB20
     

     .. Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество выводов: 6 SVHC: No SVHC (18-Jun-2010) Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SOT-363 Способ монтажа: SMD Тип транзистора: Bias Resistor (BRT) Ток коллектора ...
160. BD648 — Datasheet Semelab -
     Биполярные транзисторы Semelab BD648
     

     .. a Max: 8 А DC Current Gain: 3 А Маркировка: BD648 Full Power Rating Temperature: 25°C DC Current Gain Min: 750 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-220 Рассеиваемая мощность максимальная: 62.5 Вт Способ монтажа: Through Hole ...

Сортировать по: релевантность / дата