Datasheets: DPAK TO-252 - 9

Вид: Список / Картинки

161. NTD20P06LT4G — Datasheet ON Semiconductor -
     Полевые транзисторы ON Semiconductor NTD20P06LT4G
     

     .. D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NTD20P06L, NTDV20P06L Power MOSFET -60 V, -15.5 A, Single P-Channel, DPAK Features · · · · Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes Low Gate Charge for Fast Switching AEC ...

162. BULD1101ET4 — Datasheet STMicroelectronics -
     Биполярные транзисторы STMicroelectronics BULD1101ET4
     

     .. модели: BULD1101ET4 Производитель: STMicroelectronics Описание: Транзистор, NPN, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BULD1101E High voltage fast-switching NPN Power Transistor ...
163. AUIRFR4615 — Datasheet International Rectifier -
     Полевые транзисторы International Rectifier AUIRFR4615
     

     Наименование модели: AUIRFR4615 Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N CH, 150 В, 33 А, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD -96206A IRFR4615PbF IRFU4615PbF HEXFET® Power MOSFET Applications l ...
164. IRFR18N15DPBF — Datasheet International Rectifier -
     Полевые транзисторы International Rectifier IRFR18N15DPBF
     

     .. D-PAK Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Альтернативный тип корпуса: D-PAK Current Id Max: 18 А Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 110 Вт Pulse Current Idm: 72 А SMD Marking: IRFR18N15D Способ монтажа: SMD Threshold ...
165. STD5N62K3 — Datasheet STMicroelectronics -
     Полевые транзисторы STMicroelectronics STD5N62K3
     

     .. модели: STD5N62K3 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 620 В, 4.2 А, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STB5N62K3, STD5N62K3, STF5N62K3 STP5N62K3, STU5N62K3 N-channel ...
166. STD6NK50ZT4 — Datasheet STMicroelectronics -
     Полевые транзисторы STMicroelectronics STD6NK50ZT4
     

     .. модели: STD6NK50ZT4 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 5.6 А, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STP6NK50Z - STF6NK50Z STD6NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.93 - 5.6A ...
167. NTD25P03LT4G — Datasheet ON Semiconductor -
     Полевые транзисторы ON Semiconductor NTD25P03LT4G
     

     .. 25 А, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NTD25P03L Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt Logic Level P-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and ...
168. SUD45P03-10 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы Vishay SUD45P03-10
     

     .. ширина: 6.8 мм Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 On State Resistance Max: 100 МОм Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 50 Вт Pulse Current Idm: 30 А Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: -1 В Voltage ...
169. SPD07N60S5 — Datasheet Infineon -
     Полевые транзисторы Infineon SPD07N60S5
     

     .. 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 On State Resistance Max: 600 МОм Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 83 Вт Рассеиваемая мощность максимальная: 83 Вт Pulse Current Idm: 14.6 А SMD Marking: ...
     .. Feature · New revolutionary high voltage technology · Worldwide best RDS(on) in TO-251 and TO-252 VDS RDS(on) ID PG-TO252 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 7.3 А Drain Source Voltage Vds: ...
170. SUD50N03-16P-E3 — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторы Vishay SUD50N03-16P-E3
     

     Наименование модели: SUD50N03-16P-E3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SUD50N03-16P New Product Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Спецификации: ...
171. SPD02N60S5 — Datasheet Infineon -
     Полевые транзисторы Infineon SPD02N60S5
     

     .. диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: D-PAK Количество выводов: 3 Current Id Max: 1.8 А Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 25 Вт Pulse Current Idm: 3.2 А Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В Voltage ...
     .. avalanche rated · Extreme dv/dt rated · Ultra low effective capacitances · Improved transconductance VDS RDS(on) ID PG-TO252 2 3 1 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 1.8 А Drain Source Voltage ...
172. IRG4RC10KPBF — Datasheet International Rectifier -
     IGBT International Rectifier IRG4RC10KPBF
     

     Наименование модели: IRG4RC10KPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD 95389 IRG4RC10KPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features · Short Circuit Rated UltraFast: ...
173. FCD4N60TM — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы Fairchild FCD4N60TM
     

     .. No SVHC (19-Dec-2011) Альтернативный тип корпуса: TO-252 Current Id Max: 3.9 А On State Resistance Max: 1.2 Ом Тип корпуса: DPAK Pulse Current Idm: 11.7 А Способ монтажа: SMD Voltage Vds Typ: 600 В Voltage Vgs Max: 30 В Voltage Vgs Rds on ...
174. IRG4RC10SDPBF — Datasheet International Rectifier -
     IGBT International Rectifier IRG4RC10SDPBF
     

     Наименование модели: IRG4RC10SDPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, D-PAK 600 В 14 А Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95192A IRG4RC10SDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY ...
175. STD790AT4 — Datasheet STMicroelectronics -
     Биполярные транзисторы STMicroelectronics STD790AT4
     

     .. voltage DC current gain, hFE > 100 3 A continuous collector current 40 V breakdown voltage V(BR)CER Surface mounting DPAK (TO-252) power package in tape and reel packing 3 1 Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter ...
176. IRG4RC10SDTRPBF — Datasheet International Rectifier -
     IGBT International Rectifier IRG4RC10SDTRPBF
     

     Наименование модели: IRG4RC10SDTRPBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, COPAK, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD-91678B IRG4RC10SD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ...
177. IRFR4104PBF — Datasheet International Rectifier -
     Полевые транзисторы International Rectifier IRFR4104PBF
     

     .. длина / высота: 2.55 мм Внешняя ширина: 6.8 мм Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 140 Вт Рассеиваемая мощность максимальная: 140 Вт Pulse Current Idm: 480 А SMD Marking: ...
178. IRFR2307ZPBF — Datasheet International Rectifier -
     Полевые транзисторы International Rectifier IRFR2307ZPBF
     

     .. длина / высота: 2.55 мм Внешняя ширина: 6.8 мм Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 110 Вт Рассеиваемая мощность максимальная: 110 Вт Pulse Current Idm: 210 А SMD Marking: ...
179. IRFR4105ZPBF — Datasheet International Rectifier -
     Полевые транзисторы International Rectifier IRFR4105ZPBF
     

     .. длина / высота: 2.55 мм Внешняя ширина: 6.8 мм Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 48 Вт Рассеиваемая мощность максимальная: 48 Вт Pulse Current Idm: 120 А SMD Marking: ...
180. IRFR1010ZPBF — Datasheet International Rectifier -
     Полевые транзисторы International Rectifier IRFR1010ZPBF
     

     .. длина / высота: 2.55 мм Внешняя ширина: 6.8 мм Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 140 Вт Рассеиваемая мощность максимальная: 140 Вт Pulse Current Idm: 360 А SMD Marking: ...

Сортировать по: релевантность / дата