Datasheets: транзисторов - 10

Вид: Список / Картинки

181. BC640 — Datasheet Fairchild -
     Биполярные транзисторы Fairchild BC640
     

     .. Current Ic Max: 1 А Current Ic Continuous a Max: 1 А Current Ic hFE: 150 мА DC Current Gain hFE: 160 Hfe Min: 40 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-92 Pin Configuration: А Рассеиваемая мощность максимальная: 625 мВт Способ ...

Купить транзисторов на РадиоЛоцман.Цены — от 0.82 до 45 000 ₽ 1000 предложений от 7 поставщиков Характеристики транзистора КТ3107Е :Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 25 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение …
Элитан Россия	BC847C SOT-23 транзистор биполярный TRR (арт. 271186)	0.82 ₽	Купить
ElectroFind.ru	Транзистор П217А	200 ₽	Купить

182. IRG4RC10SPBF — Datasheet International Rectifier -
     IGBT транзисторы International Rectifier IRG4RC10SPBF
     

     .. Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Max Current Ic Continuous a: 14 А Max Fall Time: 1100 нс Количество транзисторов: 1 Power Dissipation: 38 Вт Power Dissipation Pd: 38 Вт Pulsed Current Icm: 18 А Rise Time: 28 нс ...
183. SKM22GD123D — Datasheet Semikron -
     IGBT модули и транзисторные сборки Semikron SKM22GD123D
     

     .. SEMITRANS 6 Количество выводов: 17 External Depth: 45 мм Внешняя длина / высота: 24 мм Внешняя ширина: 105 мм Количество транзисторов: 6 Тип корпуса: SEMITRANS 6 Способ монтажа: Screw Тип транзистора: Av Current Ic: 25 А Current Ic ...
184. ZTX757 — Datasheet Diodes -
     Биполярные транзисторы Diodes ZTX757
     

     .. 100 мА DC Current Gain hFE: 50 Full Power Rating Temperature: 25°C Gain Bandwidth ft Min: 30 МГц Hfe Min: 50 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: E-Line Рассеиваемая мощность максимальная: 1 Вт Способ монтажа: Through Hole ...
185. DIM200WLS12-A000 — Datasheet Dynex -
     IGBT транзисторы Dynex DIM200WLS12-A000
     

     .. Temperature: 80°C Fall Time Tf: 50 нс Full Power Rating Temperature: 25°C Max Current Ic Continuous a: 200 А Количество транзисторов: 2 Power Dissipation: 1390 Вт Power Dissipation Pd: 1390 Вт Pulsed Current Icm: 400 А Rise Time: ...
186. FDC6506P — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторные сборки и модули Fairchild FDC6506P
     

     .. Pd: 960 мВт Корпус транзистора: SuperSOT Количество выводов: 6 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 1.8 А Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SuperSOT-6 Способ монтажа: SMD Pulse Current Idm: 10 А SMD Marking: FDC6506P Uni ...
187. UML2NTR — Datasheet Rohm -
     Биполярные транзисторы Rohm UML2NTR
     

     .. Корпус транзистора: UMT Количество выводов: 5 SVHC: No SVHC (18-Jun-2010) Current Ic Continuous a Max: 150 мА Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: UMT Способ монтажа: SMD Количество каналов: 1 Выходной ток максимальный: 150 мА ...
188. BDT62A — Datasheet Semelab -
     Биполярные транзисторы Semelab BDT62A
     

     .. Ic Continuous a Max: 10 А DC Current Gain: 3 А Full Power Rating Temperature: 25°C DC Current Gain Min: 1000 Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-220 (SOT-78B) Рассеиваемая мощность максимальная: 90 Вт Тип транзистора: Power ...
189. PUMB13 — Datasheet NXP -
     Биполярные транзисторные сборки и модули NXP PUMB13
     

     .. Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Корпус транзистора: SOT-363 Количество выводов: 6 SVHC: No SVHC (18-Jun-2010) Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SOT-363 Способ монтажа: SMD Тип транзистора: Small Signal Digital Ток коллектора ...
190. SK20GH123 — Datasheet Semikron -
     IGBT модули и транзисторные сборки Semikron SK20GH123
     

     .. температрур: -40°C .. +150°C Корпус транзистора: SEMITOP 2 External Depth: 28 мм Внешняя ширина: 40.5 мм Количество транзисторов: 4 Тип корпуса: SEMITOP 2 Способ монтажа: Screw Тип транзистора: Av Current Ic: 23 А Current Ic ...
191. J112 — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом (JFET) Fairchild J112
     

     .. Min: 5 мА Current Ig: 50 мА Маркировка: J112 Drain Source Voltage Vds: 35 В Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: TO-92 Pin Configuration: m Pin Format: m Рассеиваемая мощность максимальная: 350 ...
192. SK10GH123 — Datasheet Semikron -
     IGBT модули и транзисторные сборки Semikron SK10GH123
     

     .. температрур: -40°C .. +150°C Корпус транзистора: SEMITOP 2 External Depth: 28 мм Внешняя ширина: 40.5 мм Количество транзисторов: 4 Тип корпуса: SEMITOP 2 Способ монтажа: Screw Тип транзистора: Av Current Ic: 16 А Current Ic ...
193. SKM600GB066D — Datasheet Semikron -
     IGBT модули и транзисторные сборки Semikron SKM600GB066D
     

     .. .. +175°C Корпус транзистора: SEMITRANS 3 Количество выводов: 7 External Depth: 61.4 мм Внешняя ширина: 105 мм Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SEMITRANS 3 Способ монтажа: Screw Тип транзистора: Av Current Ic: 690 А Current ...
194. SI4562DY — Datasheet Vishay -
     Полевые транзисторные сборки и модули Vishay SI4562DY
     

     .. диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: SOIC Количество выводов: 8 Current Id Max: 7.1 А Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SOIC Способ монтажа: SMD Cont Current Id P Channel: 6.2 А N-channel Gate Charge: ...
195. BU2508AX — Datasheet NXP -
     Биполярные транзисторы NXP BU2508AX
     

     .. мощность максимальная: 45 Вт Напряжение насыщения коллектор-эмиттер максимальное: 1 В DC Current Gain Min: 4 Количество транзисторов: 1 Power Dissipation: 45 Вт Saturation Current Ic: 4.5 А Способ монтажа: Through Hole Тип ...
196. FDS6690A — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы Fairchild FDS6690A
     

     .. SOIC Количество выводов: 8 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Cont Current Id @ 25В°C: 11 А Current Id Max: 11 А Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOIC Power Dissipation Pd: 2.5 Вт Pulse Current Idm: 50 А SMD Marking: FDS6690A ...
197. FDS5670 — Datasheet Fairchild -
     Полевые транзисторы Fairchild FDS5670
     

     .. 8 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 10 А Current Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOIC Power Dissipation Pd: 2.5 Вт Pulse Current Idm: 50 А SMD Marking: FDS5670 ...
198. ATF-52189-BLK — Datasheet Avago Technologies -
     Полевые транзисторы Avago Technologies ATF-52189-BLK
     

     .. Id Max: 500 мА Частота единичного усиления минимальная: 50 МГц Частота единичного усиления типовая: 6 ГГц Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: SOT-89 Pin Configuration: D(1), S(2), G(3) SMD Marking: 2Gx Способ монтажа: SMD ...
199. IRG4BC30S-SPBF — Datasheet International Rectifier -
     IGBT транзисторы International Rectifier IRG4BC30S-SPBF
     

     .. Temperature: 25°C Full Power Rating Temperature: 25°C Max Current Ic Continuous a: 34 А Max Fall Time: 760 нс Количество транзисторов: 1 Power Dissipation: 100 Вт Power Dissipation Pd: 100 Вт Pulsed Current Icm: 68 А Rise Time: 18 ...
200. UML1NTR — Datasheet Rohm -
     Биполярные транзисторы Rohm UML1NTR
     

     .. Корпус транзистора: UMT Количество выводов: 5 SVHC: No SVHC (18-Jun-2010) Current Ic Continuous a Max: 150 мА Количество транзисторов: 1 Тип корпуса: UMT Способ монтажа: SMD Количество каналов: 1 Выходной ток максимальный: 150 мА ...

Сортировать по: релевантность / дата