OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheets: 8200

Поиск по: "8200"
Найдено: 20 Вывод: 1-20

Вид: Список / Картинки

  1. Передатчик промежуточной частоты 800 МГц - 4000 МГц
  1. Гальванически изолированное восьмигранное твердотельное реле высокого напряжения с интерфейсом SPI
  2. В сериях высокопроизводительных генераторов DSC1103 и DSC1123 используется проверенная кремниевая технология MEMS, обеспечивающая превосходный джиттер и стабильность в широком диапазоне напряжений питания и температур.
  3. Полный модуль питания постоянного/постоянного тока 10 А
  4. Тройной 10-битный ЦАП для всех форматов видео
  5. Усовершенствованный продукт Тройной 10-битный ЦАП для всех форматов видео
  6. Datasheet NJM2113D - New Japan Radio Даташит Аудио усилители низкий Voltage
    Наименование модели: NJM2113D Производитель: New Japan Radio Описание: Аудио усилители низкий Voltage Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NJM2113 LOW VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER GENERAL DESCRIPTION The NJM2113 is an audio power ...
  7. Datasheet FDMC8200S - Fairchild Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 18A/13A, POWER33
    Наименование модели: FDMC8200S Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 18A/13A, POWER33 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDMC8200S Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET March 2011 FDMC8200S Dual N-Channel ...
  8. Datasheet TISP8200HDMR-S - Bourns Даташит Высоковольтный импульсный триак, сдвоенный P, 120 В, 100 А, SO8
    Наименование модели: TISP8200HDMR-S Производитель: Bourns Описание: Высоковольтный импульсный триак, сдвоенный P, 120 В, 100 А, SO8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: *R oH S CO M Спецификации: Thyristor Case: SOIC Количество выводов: ...
  9. Datasheet FDMC8200 - Fairchild Даташит Полевой транзистор транзистор
    Наименование модели: FDMC8200 Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор транзистор Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FDMC8200 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET June 2009 FDMC8200 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, ...
  10. Datasheet SIS407DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, диод, 20 В, 25 А, PPAK1212-8
    .. (D-S) MOSFET FEATURES Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Drain Source Voltage Vds: -20 В On State Resistance: 8200µ Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В Voltage Vgs Max: -8 В Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус ...
  11. Datasheet BUK6E2R0-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT226
    Наименование модели: BUK6E2R0-30C Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT226 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK6E2R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 02 -- 7 September 2010 ...
  12. Datasheet BUK663R5-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT404
    Наименование модели: BUK663R5-30C Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT404 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK663R5-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 02 -- 16 November 2010 ...
  13. Datasheet BUK662R5-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT404
    Наименование модели: BUK662R5-30C Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT404 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK662R5-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 2 -- 14 October 2010 Product ...
  14. Datasheet BUK653R7-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT78
    Наименование модели: BUK653R7-30C Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT78 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK653R7-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 3 -- 13 October 2010 Product ...
  15. Datasheet BUK652R7-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT78
    Наименование модели: BUK652R7-30C Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, SOT78 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK652R7-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 02 -- 16 December 2010 Product ...
  16. Datasheet BUK652R1-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT78
    Наименование модели: BUK652R1-30C Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT78 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK652R1-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 02 -- 16 December 2010 Product ...
  17. Datasheet BUK652R0-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT78
    Наименование модели: BUK652R0-30C Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT78 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK652R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 01 -- 6 September 2010 Product ...
  18. Справочник по отечественным биполярным транзисторам ТИП B 1-B 2/Iк /мА Fт МГц Cк/Uк пф/В Cэ/Uэб пф/В Rб*Cк псек tр нс Uкэ(Iк/Iб) В(мА/мА) Iко мкА Uкб В Uкэ/R В/кОм Uэб В Iкм/Iкн мА/мА Pк мВт Пер Цок КТ3151А9 КТ3151Б9 КТ3151В9 КТ3151Г9 КТ3151Д9 ...
  19. Справочник по отечественным биполярным транзисторам ТИП B 1-B 2/Iк /мА Fт МГц Cк/Uк пф/В Cэ/Uэб пф/В Rб*Cк псек tр нс Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) Iко мкА Uкб В Uкэ/R В/кОм Uэб В Iкм/Iкн мА/мА Pк мВт Пер Цок КТ361А КТ361Б КТ361В КТ361Г КТ361Д КТ361Е ...

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "8200" в других поисковых системах: Везде-РадиоЛоцман DataSheet.ru
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка