Cypress Semiconductor представила 128-, 64- и 32-мегабитные микросхемы асинхронной статической памяти (Asynchronous SRAM) семейства MoBL® с 32-битной шиной данных. Новые приборы расширяют портфолио микросхем SRAM, включающее высококачественные синхронные, асинхронные и микромощные устройства. Новые микросхемы предназначены для использования в телекоммуникационном оборудовании, компьютерах, периферийных устройствах, а также, в потребительской, медицинской и военной аппаратуре. Микросхемы позволят улучшить производительность систем, основанных на современных 32-разрядных ЦСП и ПЛИС.
В перечне микросхем SRAM, выпускаемых Cypress, есть приборы емкостью от 4 кбит до 128 Мбит. Новые микросхемы семейства MoBL объемом 128 Мбит (CY62192ESL), 64 Мбит (CY62182ESL) и 32 Мбит (CY62172ESL) имеют ширину шины данных 32 бита, время выборки 55 нс и могут работать при напряжении питания от 1.7 до 5.5. Эти малопотребляющие асинхронные SRAM изготавливаются по 90-нм КМОП технологии R95 фирмы Cypress и упаковываются в удовлетворяющие требованиям директивы RoHS 119-выводные корпуса BGA с габаритами 14.0 × 22.0 × 2.4 мм.
«В приложениях, требующих передачи большого объема данных между SRAM и контроллером, включая видео, аудио и игровые приложения, пропускная способность является ключевым фактором», – сказал Сунил Тэмаран (Sunil Thamaran), старший управляющий подразделения асинхронной памяти Cypress. – «Представляя эти новые 32-разрядные устройства, Cypress демонстрирует свое стремление к постоянному развитию и совершенствованию в этом сегменте рынка. А теперь мы приступаем к разработке новой линейки приборов асинхронной памяти на основе 65-нм технологии, что позволит еще более снизить потребление мощности и добавить расширенные функции, включая схему коррекции ошибок».
