Кампания Samsung представила микросхемы ультрабыстрой памяти XDR DRAM емкостью 512 Мбит

Произведенная по 90-нм технологии- это самая быстродействующая на сегодняшний день память для мультимедийных приложений. Новые 512-мегабитные микросхемы XDR (eXtreme Data Rate) DRAM способны передавать данные на скорости до 9,6 Гбайт/с — в 12 раз быстрее, чем память DDR400, и в 6 раз быстрее, чем RDRAM(PC800), самая быстрая на сегодня память. При изготовлении новой памяти была применена усовершенствованная 90-нм технология производства микросхем, что позволило достичь пиковой производительности до 4,8 Гбайт/с при напряжении питания 1,8 В.