Группа исследователей из Корейского института науки и технологий (KAIST) разработала способ изготовления гибкой энергонезависимой резистивной памяти (RRAM), обеспечивающей произвольный доступ к каждой ячейке памяти, как для записи, так и для стирания. Эта работа, во главе которой стоял профессор кафедры Материаловедения и Инжиниринга Кеон Джэ Ли (Keon Jae Lee), была закончена в октябре 2011 года.
Хотя некоторые гибкие материалы для изготовления памяти уже были известны, устройства на их основе не могли преодолеть взаимное влияние ячеек из-за ограничений на структурном и физическом уровнях, требуя наличия таких переключающих элементов, как транзисторы, которые должны быть совмещены с элементами памяти.
К сожалению, большинство транзисторов, изготавливаемых на пластиковых подложках (например, органические и оксидные транзисторы) не способны обеспечить характеристики, требуемые для управления стандартной памятью. Таким образом, для создания гибкой памяти оставалось решить проблему реализации гибких электронных элементов.
Недавно исследовательская группа профессора Ли разработала полностью функциональную гибкую память, не подверженную интерференции ячеек, объединив на одной гибкой подложке мемристор (представленный не так давно материал для элементов памяти следующего поколения) и высококачественный кремниевый монокристаллический транзистор.
Совместив эти две технологии, ученые успешно продемонстрировали, что все функции памяти в массиве матрицы элементов, такие как запись, чтение и стирание, являются вполне работоспособными.
Профессор Ли утверждает: «Полученный нами результат, является впечатляющим технологическим прорывом. В нем заложен мощный потенциал для создания всех типов гибких электронных систем, на основе которых уже в ближайшем будущем будут разрабатываться гибкие и свободно соединяемые компьютеры».
