Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА
РадиоЛоцман - Все об электронике

Vishay представляет сдвоенные 20-вольтовые миниатюрные MOSFET с наименьшим в отрасли сопротивлением канала

Vishay Intertechnology SiA936EDJ

Vishay Intertechnology представляет новый сдвоенный мощный n-канальный MOSFET семейства TrenchFET в миниатюрном корпусе PowerPAK SC-70 с уменьшенным тепловым сопротивлением. Созданный, чтобы уменьшить занимаемое пространство и увеличить эффективность преобразования энергии в портативных устройствах, SiA936EDJ обладает минимальным в отрасли сопротивлением открытого канала среди 20-вольтовых приборов с напряжениями затвора 4.5 и 2.5 В и размерами корпуса 2 × 2 мм.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Vishay - SiA936EDJ

Особенности

  • Низкое сопротивление канала при логических уровнях управления
  • Способствует более эффективному использованию мощности и увеличению времени работы от батареи
  • Встроенная защита от электростатического разряда до 2000 В
  • Два MOSFET, интегрированных в компактном корпусе PowerPAK SC-70
  • Миниатюрный корпус размером 2.05 × 2.05 мм с уменьшенным тепловым сопротивлением
  • 100% контроль сопротивления затвора
  • Не содержит галогенов в соответствии с JEDEC JS709A
  • Соответствует требованиям директивы RoHS2 (2011/65/EU)

Основные параметры

  • Напряжение сток-исток: 20 В
  • Напряжение затвор-исток: ±12 В
  • Сопротивление открытого канала:
    • максимум 34 мОм при 4.5 В
    • максимум 37 мОм при 3.7 В
    • максимум 45 мОм при 2.5 В

Приложения

  • Переключатели заряда и нагрузки
  • DC/DC преобразователи
  • H-мосты
  • Защита батарей

Схемы популярных приложений для SiA936EDJ:

Переключатель нагрузки
Ключи DC-DC преобразователя
 Переключатель нагрузки
 Ключи DC-DC преобразователя
  • Маленький размер
  • Малое падение напряжения при постоянной и переменной нагрузке
  • Компактный корпус для ограниченного размера платы
  • Интегрированное решение снижает количество компонентов

Перспектива

В миниатюрном корпусе SiA936EDJ сочетаются очень низкое сопротивление канала с встроенной защитой от статического электричества до 2000 В. Сопротивление открытого канала при 2.5 В на 11.7% меньше, чем у ближайшего аналога с максимальным напряжение затвор-исток (UGS) 8 В, и на 15.1% меньше чем у ближайшего аналога с UGS = 12 В. Такие низкие значения сопротивления канала позволяют разработчикам получать более низкие значения падения напряжения в схемах, что способствует снижению потерь энергии и увеличению времени автономной работы. Дополнительно, интеграция двух транзисторов в одном миниатюрном корпусе упрощает конструкцию, снижает общее количество компонентов и уменьшает занимаемое на плате пространство.

Доступность

В настоящее время доступны как единичные образцы SiA936EDJ, так и промышленные партии. При больших объемах заказа производственный цикл занимает от 12 до 14 недель.

Перевод: Игорь Краснолобов по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: 20 V Dual N-Channel Power MOSFET With Industry-Low RDS(ON) in 2 mm by 2 mm Footprint Area

VISHAY SIA936EDJ-T1-GE3 MOSFET, N CHANNEL, 20V, 4.5A, POWERPACK
AiPCBA
Весь мир
SIA936EDJ-T1-GE3
Vishay
34 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIA936EDJ-T1-GE3
Vishay
35 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SIA936EDJ-T1-GE3
Vishay
2 306 ₽
Akcel
Весь мир
SIA936EDJ-T1-GE3
Vishay
по запросу
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя