Аналоги реле Phoenix Contact, Finder, Omron, ABB, Schneider
РадиоЛоцман - Все об электронике

VisIC создала GaN транзисторы с самым низким в мире сопротивлением открытого канала

VisIC

PowerPulse

VisIC Technologies LogoПо утверждению компании VisIC Technologies, ею созданы GaN транзисторы с самым низким в мире сопротивлением открытого канала среди приборов класса 650 В/50 А – всего 12 мОм. Транзисторы способны работать на частотах до 1 МГц. Эти устройства разработаны для использования в источниках питания, инверторах солнечных батарей и драйверах электромоторов. Такие подсистемы широко используются в промышленных, коммерческих и потребительских приложениях, в частности в робототехнике, лифтах, стиральных машинах, кондиционерах и т.п.

Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Из соображений безопасности во многих системах преобразования энергии транзистор должен работать в нормально выключенном режиме, хорошо знакомом всем разработчикам устройств питания. Кроме того, приборы VisIC MISHEMT (High Electron Mobility Transistors – транзисторы с высокой подвижностью электронов) управляются напряжением, как и MOSFET, используемые в большинстве конструкций систем питания. Но в отличие от MOSFET последних поколений, транзисторы компании VisIC имеют монотонные передаточные характеристики, что делает их менее сложными в применении и облегчает внедрение этих инновационных устройств в системы питания.

VisIC - ALL-Switch

В компании VisIC убеждены, что GaN устройства будут стоить для конечных производителей столько же, или даже меньше, чем аналогичные MOSFET, что позволит быстро ощутить выгоду от возросшей эффективности, сниженной стоимости и уменьшенных размеров систем.

В конструкции силовых коммутационных приборов компании VisIC, объединенных под брендом ALL-Switch (Advanced Low Loss Switch – усовершенствованный ключ с низкими потерями), собрана оригинальная комбинация компонентов, обеспечивающая минимум потерь, небольшие размеры и надежную работу при доступной для потребителей цене. Разработанные VisIC приборы ALL-Switch позволяют преодолеть основные препятствия, ограничивавшие широкое внедрение GaN транзисторов в схемы коммутационных устройств.

Особенностями ALL-Switch является высокое положительное пороговое напряжение, превышающее +3 В и принципиально отличающее их от GaN транзисторов в режиме обогащения с напряжением порога менее 1 В, а, кроме того, обеспечивающее намного больший уровень устойчивости к электромагнитным помехам. Рекордно низкое сопротивление открытого канала, большое пробивное напряжение, превышающее 800 В, блокирующее напряжение до 600 В, небольшое падение напряжения в режиме обратной проводимости и высокая электрическая прочность внутренней изоляции в сочетании с низким тепловым сопротивлением определяют преимущество транзисторов VisIC над продуктами конкурентов.

В настоящее время GaN HEMT выращиваются на 6-дюймовых кремниевых подложках. Используемая технология позволяет создавать GaN транзисторы – основные части ALL-Switch, – имеющие нулевое время восстановления и лучшее в отрасли, гарантированно низкое сопротивление открытого канала. Высокие технологические запасы по важнейшим рабочим параметрам дают потребителям очевидные преимущества при разработке эффективных, малогабаритных и недорогих систем.

Перевод: Алексей Ревенко по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: 650V GaN Power Transistors feature 12mOhm Rdson

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя