Компания Diodes предлагает 100-вольтовый полный H-мост DMHC10H170SFJ, объединяющий сдвоенные n- и p-канальные MOSFET в миниатюрном корпусе DFN5045 размером 5 × 4.5 мм. Эта конфигурация уменьшает число компонентов и площадь печатной платы, что особенно важно в приложениях с большим количеством однотипных устройств, таких, например, как массивы ультразвуковых преобразователей, используемых в промышленных системах технического контроля или в морских гидролокаторах. Приборы могут найти применение и в устройствах управления двигателями постоянного тока в 48-вольтовых вентиляторах охлаждения телекоммуникационного оборудования, а так же в драйверах индуктивных нагрузок, таких как катушки беспроводных зарядных устройств.
Равное 100 В пробивное напряжение сток-исток прибора DMHC10H170SFJ обеспечивает существенный запас при работе в телекоммуникационных и промышленных системах с шинами питания 48 В, в то время как напряжение затвора 5 В упрощает разработку прямых интерфейсов с логическими схемами и микроконтроллерами. Максимально допустимый пиковый импульсный ток 11 А также означает, что устройство может противостоять броскам пускового тока индуктивностей, который, как правило, более чем в пять раз превышает типичный рабочий ток, например, двигателя постоянного тока.
DMHC10H170SFJ способен заменить четыре корпуса SOT23 или два корпуса SO-8, позволяя создавать компактные массивы из множества ультразвуковых преобразователей. Примером такого массива из 1024 преобразователей, каждый из которых требует индивидуального управления с помощью H-моста, может служить устройство управления диаграммой направленности и фокусировкой луча в системах с фазированными решетками. Подобные системы используются в дефектоскопах на промышленных производственных линиях или в морских системах эхолокации.
Поставляемая в корпусе V-DFN5045-12 микросхема DMHC10H170SFJ является самым миниатюрным решением на сегодняшнем рынке аналогичных приборов.
Купить DMHC10H170SFJ на РадиоЛоцман.Цены
