Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА
РадиоЛоцман - Все об электронике

Dialog Semiconductor выходит на рынок нитрид-галлиевых приборов с первым интегральным силовым устройством

Dialog DA8801

В микросхемах SmartGan DA8801 силовые GaN МОП-транзисторы интегрированы с аналоговыми драйверами и логическими схемами в одну оптимизированную, исключительно эффективную 650-вольтовую полумостовую конструкцию

Dialog Semiconductor анонсировала и продемонстрировала первую нитрид-галлиевую (GaN) силовую микросхему, изготовленную с использованием 650-вольтового техпроцесса GaN-на-кремнии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Corporation (TSMC).

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Dialog Semiconductor - DA8801

Совместно с запатентованными Dialog цифровыми контроллерами преобразования энергии, DA8801 позволит повысить плотность мощности сетевых адаптеров, сделав их более эффективными и компактными по сравнению с доминирующими сегодня конструкциями на традиционных кремниевых МОП транзисторах. Новая разработка Dialog с самого начала была нацелена на сегмент адаптеров быстрой зарядки смартфонов и компьютеров, где со своими контроллерами преобразования энергии компания уже имеет долю рынка свыше 70%.

«Исключительные характеристики GaN транзисторов позволяют заказчикам предлагать потребителям более эффективные и компактные сетевые адаптеры, отвечающие сегодняшним запросам рынка, – сказал Марк Тиндалл (Mark Tyndall), старший вице-президент по корпоративному развитию и стратегии Dialog Semiconductor. – После успеха, который принесли нам биполярные CMOS-DMOS микросхемы управления питанием, Dialog вновь лидирует в коммерциализации новой технологии для массовых потребительских приложений».

Dialog Semiconductor - DA8801

Технология GaN позволяет создавать самые быстродействующие в мире транзисторы, являющиеся ядром высокоэффективных и ультраэффективных преобразователей энергии. Разработанные Dialog полумосты DA8801, в которых такие блоки, как драйверы затворов и схемы сдвига уровня объединены с 650-вольтовыми силовыми ключами, обеспечивают оптимальное решение, снижающее потери мощности до 50% при КПД, достигающем 94%. Продукт дает возможность беспрепятственно внедрять GaN приборы, отказавшись от сложных схем, необходимых для управления дискретными нитрид-галлиевыми ключами.

Новая технология позволяет до 50% сократить размеры силовой электроники и разместить конструкцию типичного 45-ваттного сетевого адаптера в объеме современного адаптера мощностью 25 Вт. Это уменьшение размеров позволит создавать истинно универсальные адаптеры для мобильных устройств.

Образцы DA8801 будут доступны начиная с 4 квартала 2016 года.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Dialog Semiconductor Enters Gallium Nitride (GaN) Market with First Integrated Devices Targeting Fast Charging Power Adapters

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя