International Rectifier представляет комплект полупроводниковых приборов, в составе которого сборка DirectFETKY^TM - 'полевой МОП-транзистор/диод Шоттки' и полевой МОП-транзистор в исполнении DirectFET ^TM

Новый комплект полупроводниковых приборов способен поднять эффективность DC-DC преобразования в системах питания современных процессоров

5 мая, 2004г. - Фирмой International Rectifier, IR® представлен комплект полупроводниковых изделий с управляемым синхронным ключевым режимом работы, предназначенных для использования в высокочастотных DC-DC преобразователях систем питания процессоров нового поколения Intel® и AMD, работающих в новейших серверных и настольных компьютерах. Среди других возможных применений - POL-преобразователи DC-DC (point-of-load - непосредственно возле нагрузки) в системах телекоммуникаций и передачи данных.

Комплект из двух полупроводниковых изделий обеспечивает к.п.д. 84.5% при токе 90 А в четырехфазной системе стандарта VRM 1U (высота 1.75 дюйма) с фазной частотой коммутации 750 кГц, а также к.п.д. 87% при токе 150 А во встраиваемой восьмифазной конструкции VRD10.2 с фазной частотой коммутации 400 кГц.

Первое устройство - монолитная сборка IRF6691 DirectFETKY^TM, которая объединяет диод Шоттки и синхронный полевой МОП-транзистор (MOSFET) в одном корпусе, что обеспечивает при полной нагрузке и фазной частоте 1 МГц увеличение к.п.д. на 1.1% по сравнению с прочими имеющимися на рынке высокопроизводительными синхронными 20-вольтовыми полевыми транзисторами (при тех же самых параметрах управления). Среди номинальных характеристик IRF6691: RDS(on)=1.2 мОм при 10 В(з-и) (1.8 мОм при 4.5 В(з-и)) и Qrr=26 нКл, что обеспечивает наилучший тепловой режим работы с более низкими потерями при восстановлении закрытого состояния и снижает общее количество компонентов.

Второй прибор - управляющий полевой МОП-транзистор IRF6617 DirectFET^TM HEXFET®. Разработанный специально для управления коммутацией полевых транзисторов, IRF6617 характеризуется очень малым общим зарядом затвора (Qз=11 нКл), обеспечивая снижение до 33% произведения сопротивления ключа в открытом состоянии на Qз (87 мОм*нКл при 4.5 В(з-и)) по сравнению с предшествующими 30-вольтовыми устройствами.

Запатентованная технология корпусного исполнения DirectFET ^TM
Оба прибора выполнены с применением запатентованной фирмой International Rectifier технологии изготовления корпусов DirectFET, которая предоставляет целый набор конструкционных преимуществ, не имевшихся у изготавливаемых ранее стандартных дискретных компонентов в пластиковом варианте. Используя ресурсы новой конструкции с двухсторонним охлаждением, семейство силовых полевых МОП-транзисторов DirectFET реально удваивает характеристики токопроводимости в высокочастотных импульсных DC-DC преобразователях, используемых для снабжения энергией новейших процессоров.

Наименование	Корпус	BVDSS	RDS(on)max при 10 В	RDS(on)max при 4.5 В	VGS	ID при Tc=25°C	QG ном.	Qrr ном.
		(В)	(мОм)	(мОм)	(В)	(A)	(нКл)	(нКл)
IRF6617 DirectFETTM полевой МОП-транзистор	DirectFET	30	8.1	10.3	20	55	11	7.2
IRF6691 DirectFETKYTM полевой МОП-транзистор и диод Шоттки	DirectFET	20	1.8	2.5	12	180	47	26

Доступность приобретения и цена
Оба прибора можно приобрести непосредственно сейчас. Цена устройства IRF6691 DirectFETKY составляет US $1.49 за 1 шт., а полевого МОП-транзистора IRF6617 DirectFET - US $0.87 за 1 шт. Стоимость обоих устройств приведена для количеств от 10.000 шт.