Компания Samsung Electronics объявила о запуске массового производства микросхем 256 Мб XDR (eXreme Datа Rate), нового поколения памяти для продуктов мультимедиа.

Скорость XDR в 10 раз выше, чем у чипов DDR 400, и в 5 раз превосходит аналогичный показатель памяти RDRAM (PC800). Для обеспечения стабильной передачи данных на сверхвысоких скоростях Samsung использует технологию дифференцирования уровней сигналов, DRSL (Differential Rambus Signaling Levels).
Более того, в первой половине этого года Samsung планирует выпустить на рынок 512 Мб XDRT DRAM с пропускной способностью до 12,8 Мб в секунду.