Устройства обеспечивают улучшенную защиту и экономят пространство печатной платы
Компания Toshiba объявила о начале производства новых сборок TVS диодов (супрессоров) для защиты высокоскоростных интерфейсов от электростатических разрядов и импульсных перенапряжений. В новое семейство вошли четыре устройства, поддерживающие различные интерфейсы, в числе которых USB Type-C и HDMI. Сборки могут использоваться в мобильных устройствах, включая смартфоны, носимые устройства и планшеты. Защитные свойства TVS диодов улучшены за счет снижения динамического сопротивления и напряжения фиксации. Супрессоры выпускаются в малогабаритных корпусах LGA, по сравнению с существующими продуктами Toshiba сберегающими примерно 30% монтажного пространства.
Миниатюризация и рост функциональной насыщенности смартфонов, носимых приборов, планшетов, ноутбуков, офисного оборудования, ЖК панелей и других электронных устройств требуют уменьшения размеров используемых в них полупроводниковых компонентов. Это влечет за собой рост потребности в новых устройствах защиты полупроводниковых элементов от электростатических разрядов и бросков напряжения. Кроме того, при использовании для защиты USB Type-C, HDMI и других высокоскоростных интерфейсов, эти устройства должны иметь малую емкость для предотвращения ослабления передаваемых сигналов.
Характеристики и расположение выводов новых TVS диодов Toshiba ориентированы на защиту высокоскоростных интерфейсов, используемых в этих современных электронных устройствах. Они производятся на основе запатентованной Toshiba технологии EAP-IV, обеспечивающей более низкое динамическое сопротивление и напряжение фиксации, чем другие продукты компании, и улучшающей общую защиту за счет ослабления воздействия статических разрядов и бросков напряжения на последующие каскады устройств. Новая линейка представлена устройствами, содержащими 2 и 4 диода для сигнальных линий с напряжениями как 3.3 В, так и 5.0 В, предоставляя пользователям возможность выбора супрессоров, соответствующих напряжению интерфейса их системы.
Основные характеристики семейства
Модель | Кол-во диодов |
Пиковое обратное напряжение, макс, [В] |
Напряжение электроста- тического разряда, [кВ] |
Обратное напряжение пробоя, мин./макс. при IBR = 1 мA, [В] |
Динамическое сопротивление, тип. при токе 8…16 А, [Ом] |
Напряжение фиксации, тип. при токе 16 A, [В] |
Общая емкость, тип. при 0 В, [пФ] |
Корпус |
DF5G5M4N | 4 | 3.6 | ±20 | 4.0/6.0 | 0.8 | 22 | 0.2 | DFN5 |
DF5G6M4N | 4 | 5.5 | ±20 | 5.6/8.0 | 0.8 | 22 | 0.2 | |
DF6D5M4N | 2 | 3.6 | ±20 | 4.0/6.0 | 0.8 | 22 | 0.2 | DFN6 |
DF6D6M4N | 2 | 5.5 | ±20 | 5.6/8.0 | 0.8 | 22 | 0.2 |