РадиоЛоцман - Все об электронике

Intel разрабатывает 65-нанометровый производственный процесс

Intel

Усовершенствование 65-нанометровой производственной технологии Intel позволит продлить срок автономной работы мобильных устройств

Корпорация Intel разрабатывает на основе высокоэффективной 65-нанометровой технологии производственный процесс для решений со сверхнизким энергопотреблением, который позволит создавать экономичные процессоры для мобильных платформ и компактных устройств. Производственный процесс для продукции со сверхнизким энергопотреблением станет вторым процессом корпорации Intel с применением 65-нанометровой технологии.

Решения, созданные по высокопроизводительной 65-нанометровой технологии Intel, превосходят ныне используемый корпорацией 90-нанометровый производственный процесс и по производительности, и по энергопотреблению. 65-нанометровая технология со сверхнизким энергопотреблением предоставит инженерам Intel дополнительные возможности для более плотного размещения компонентов, повышения производительности и снижения энергопотребления, в чем так нуждаются пользователи устройств, работающих от аккумуляторов.

Одним из факторов, способствующих снижению энергопотребления процессоров, является оптимизация структуры транзистора. Утечки электричества из микроскопических транзисторов, происходящие даже тогда, когда транзистор находится в закрытом состоянии, досаждают целой отрасли.

«Число транзисторов, интегрируемых в некоторые микросхемы, уже превышает один миллиард, и никто из нас не сомневается в том, что оптимизация, выполненная на уровне отдельных транзисторов, может вылиться в огромные преимущества на уровне целой системы, — говорит Марк Бор (Mark Bohr), старший заслуженный инженер-изобретатель корпорации Intel, директор отделения Process Architecture and Integration. — Тестовые микросхемы, изготовленные нами с использованием 65-нанометровой производственной технологии Intel со сверхнизким энергопотреблением, показали, что благодаря ей утечка электричества снижается примерно в тысячу раз в сравнении с нашим стандартным процессом. Это позволит нам создавать устройства, потребляющие значительно меньше энергии».

65-нанометровая производственная технология Intel для решений со сверхнизким энергопотреблением
65-нанометровая технология Intel со сверхнизким энергопотреблением включает в себя несколько важных изменений, которые позволят производить экономичные электронные компоненты, обладающие ведущими для отрасли показателями производительности. Эти изменения значительно сокращают три основных вида утечки носителей заряда в транзисторах: субпороговую утечку, утечку через переходы и утечку через оксидный слой затвора, — что снижает энергопотребление и продлевает срок автономной работы систем.

О 65-нанометровой производственной технологии Intel
65-нанометровые производственные процессы Intel представляют собой сочетание высокопроизводительных экономичных транзисторов, технологии напряженного кремния второго поколения, восьми уровней высокоскоростных медных межсоединений и диэлектрического материала с низким коэффициентом k. Использование 65-нанометровых производственных процессов позволит корпорации Intel размещать на кристалле процессора вдвое больше транзисторов в сравнении с нынешней 90-нанометровой технологией.

65-нанометровые технологии Intel позволят также создавать транзисторы с размером затвора 35 нм, которые станут самыми миниатюрными и высокопроизводительными транзисторами CMOS, производимыми в массовых масштабах. Для сравнения: самые совершенные современные транзисторы, интегрированные в процессоры Intel® Pentium® 4, имеют затвор размером 50 нм. Возможность создания миниатюрных и быстрых транзисторов — главное условие разработки и производства высокопроизводительных процессоров.

Кроме того, корпорация Intel интегрировала в 65-нанометровые производственные процессы высокопроизводительную технологию изготовления напряженного кремния второго поколения. Эта технология позволяет ускорить движение электронов и, как следствие, повысить быстродействие транзисторов. При этом стоимость производства возрастает всего лишь на 2 процента.

На английском языке: Intel Developing Ultra-Low Power Manufacturing Process

JLCPCP: 2USD 2Layer 5PCBs, 5USD 4Layer 5PCBs

Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя