Инженеры компаний Intel и QinetiQ продемонстрировали работающий в режиме обогащения транзистор, в котором в качестве токопроводящего материала используется антимонид индия (химическое обозначение — InSb). Как известно, транзисторы в микропроцессорах управляют переносом электрических зарядов и, соответственно, информации. Представленный прототип транзистора работает гораздо быстрее и потребляет меньше энергии, чем современные транзисторы. Инженеры Intel рассчитывают, что новый материал прекрасно дополнит достоинства полупроводников, а это, в свою очередь, продлит срок действия закона Мура.
Значительное снижение энергопотребления на уровне транзисторов в сочетании с существенным повышением производительности имеет большое значение для дальнейшего развития вычислительных платформ, позволяя реализовать в них дополнительные функции и возможности. Это, например, может существенно продлить срок автономной работы мобильных устройств и открывает новые возможности для создания более компактных и в то же время более мощных систем.
Антимонид индия относится к так называемым композиционным полупроводникам III-V, которые в настоящее время используются в различных автономных и интегрированных системах, таких как высокочастотные усилители, микроволновые устройства и полупроводниковые лазеры.
Транзисторы с каналами из антимонида индия уже анонсировались инженерами Intel и QinetiQ ранее. Анонсированные сегодня транзисторы с длиной затвора 85 нанометров отличаются от них еще меньшими размерами (более чем в 2 раза). Новые транзисторы, работающие в режиме обогащения, были продемонстрированы впервые. Транзисторы этого типа являются самыми распространенными транзисторами, используемыми в микропроцессорах и других логических схемах. Новые транзисторы могут работать при напряжении около 0,5 В (это примерно вдвое меньше, чем напряжение, используемое транзисторами современных процессоров). Благодаря этому можно существенно снизить энергопотребление процессоров.
