LAPIS Semiconductor сообщила о разработке сегнетоэлектрического запоминающего устройства с произвольным доступом (FeRAM) емкостью 1 Мбит, предназначенного для таких приложений, как интеллектуальные приборы учета, средства измерений, медицинское оборудование и банковские терминалы, где требуется быстрое и частое накопление информации и/или быстрое резервное копирование данных в чрезвычайных ситуациях.
В последние годы растет спрос на миниатюрные мобильные электронные устройства со сниженным энергопотреблением и увеличенным объемом хранимых данных, сохраняющие работоспособность при аварийных отключениях питания. Для удовлетворения этих потребностей LAPIS Semiconductor разработала новую микросхему FeRAM увеличенной емкости, расширила диапазон ее напряжений питания, увеличила скорость работы и снизила потребление мощности в режимах хранения и сна, создав идеальное устройство для мобильного и терминального оборудования с батарейным питанием.
От других типов энергонезависимой памяти, таких как EEPROM и Flash, FeRAM отличается более быстрой перезаписью данных, повышенной надежностью перезаписи и меньшим расходом энергии. В 2011 году LAPIS Semiconductor приступила к объединению компетенций компании ROHM в производстве сегнетоэлектрической памяти произвольного доступа с собственной технологией FeRAM, выпустив ряд приборов различной емкости с несколькими типами интерфейсов. С тех пор такая память стала использоваться в многофункциональных принтерах, автомобильных аксессуарах, оборудовании промышленной автоматизации и в других приложениях, требующих частого обновления данных.
MR45V100A обеспечивает обмен по шине SPI со скоростью 40 МГц в широком диапазоне напряжений питания от 1.8 В до 3.6 В. Большая емкость 1 Мбит гарантирует скорость и стабильность реакции даже при резком падении напряжения в условиях неустойчивого питания, повышая надежность системы в приложениях быстрого резервного копирования информации. В качестве альтернативы для приложений, не требующих высоких скоростей, предлагается микросхема MR44V100A с интерфейсом I2C.
Кроме того, с учетом мобильных приложений, был усовершенствован режим хранения, чтобы ограничить рост энергопотребления при увеличении емкости памяти, и впервые был реализован спящий режим, чтобы еще больше снизить рассеиваемую мощность. В результате средние токи, потребляемые в режимах хранения и сна, снизились до самых низких в отрасли значений – 10 мкА и 0.1 мкА, соответственно, – сделав новые микросхемы идеальными устройствами для портативных терминалов и регистраторов данных, где первостепенное значение имеет срок службы батарей.
