Alpha and Omega Semiconductor выпустила 25-вольтовый MOSFET новейшего поколения в корпусе XSPairFET

Изготовленные с использованием новейшей технологии транзисторы устанавливают новый отраслевой стандарт для приложений с высокой плотностью мощности

Alpha and Omega Semiconductor выпустила новую транзисторную сборку AONX38168 из двух 25-вольтовых N-канальных MOSFET. В безвыводном корпусе XSPairFET размером 5 мм × 6 мм содержатся транзисторы нижнего и верхнего плеча, идеально подходящие для использования в синхронных DC/DC преобразователях.

Применяемая при изготовлении AONX38168 новейшая технология монтажа истока на теплоотводящую поверхность корпуса благодаря меньшей паразитной индуктивности существенно снижает «звон» коммутационного узла. По сравнению с существующими решениями новое устройство обеспечивает более высокую плотность мощности и хорошо подходит для рынков серверного и телекоммуникационного оборудования. Являясь новейшим прибором в семействе XSPairFET, AONX38168 имеет самое низкое в отрасли сопротивление канала и наилучший фактор качества (произведение сопротивления открытого канала на заряд затвора). Подключение истока MOSFET нижнего плеча к теплоотводящему основанию корпуса улучшает тепловые характеристики прибора, упрощает разводку печатной платы и снижает уровень излучаемых помех.

Подключение транзисторов к контактам корпуса.

Цена и доступность

AONX38168 могут поставляться в промышленных объемах через 12-14 недель после подтверждения заказа. Цена одной микросхемы в париях из 1000 штук составляет $1.7.

Обозначение	Корпус		VDS (В)	VGS (±В)	RDS(ON) (мОм, макс) при VGS =		CISS (пФ)	COSS (пФ)	CRSS (пФ)
					10 В	4.5 В
AONX38168	DFN 5×6	Верхнее плечо (Q1)	25	12	3.3	5	1150	460	40
		Нижнее плечо (Q2)	25	12	0.8	1.05	4520	1270	170