Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

02-11-2018

«Ангстрем» заключил трехстороннее российско-японо-китайское соглашение

Соглашение предусматривает постановку на АО «Ангстрем» производства транзисторов по новой для него, запатентованной технологии SiC. Её использование позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, при этом их стоимость будет сопоставима, а  может даже ниже по сравнению с традиционными изделиями на кремнии.

Ангстрем заключил трехстороннее российско-японо-китайское соглашение

Транзисторы на основе карбида кремния, традиционно имеют более высокую стоимость, чем транзисторы, изготовленные на кремнии, и поэтому спрос на них относительно ограничен. Использование же новой запатентованной технологии SiC позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, а также значительно уменьшить стоимость транзистора в корпусе, что делает их использование более выгодным.

В церемонии подписания соглашения о стратегическом партнерстве, приняли участие первый заместитель генерального директора АО «Ангстрем» Николай Плис, президент компании «Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг» (JAPAN SEMICONDUCTOR ENGINEERING & CONSULTING) Хошино Масахиро (Hoshino Masahiro)  и генеральный директор компании «Тайжоу бийонд технолоджи» (TAIZHOU BEYOND TECHNOLOGY) Чжань Лэниан (Zhang  Lenian).

На Ангстреме будет быть внедрена новая технология производства транзисторов на основе карбида кремния. Техпроцесс разработан специалистами японской компании «Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг» (JAPAN SEMICONDUCTOR ENGINEERING & CONSULTING). Третья сторона соглашения, китайская компания «Тайжоу бийонд технолоджи» (TAIZHOU BEYOND TECHNOLOGY), берет на себя обязательство по сборке кристаллов транзисторов в корпус. Согласно документу, стратегическое партнерство между тремя компаниями будет длиться на протяжении 5 лет, а затем может быть продлено.

Первые образцы продукции планируется представить в ходе крупной выставки Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. В случае положительного отклика от потребителей, объемы производства могут достигнуть нескольких миллионов кристаллов в год, что будет значительным прорывом для АО «Ангстрем» и выходом  на мировой рынок с продукцией на основе SiC.

«Ангстрем» ежегодно запускает в серийное производство не менее 50 новых типов интегральных схем, микропроцессоров и транзисторов промышленного и специального назначения, в том числе по технологии кремний на сапфире. За последние три года было обновлено порядка 20% продукции предприятия из 2000 наименований.

angstrem.ru

Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя
Новости по теме:
Форум  »
китайское реле напряжения
Форум  »
Универсальное китайское зарядное устройство
Datasheet  »
Datasheet Ангстрем К1013ВГ6С
Datasheet  »
Datasheet Ангстрем К1013ВГ6
Datasheet  »
Datasheet Ангстрем КБ1013ВГ6

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Бесснаберный FLYBACK с транзисторами 950 В P7
Вебинар Уникальный подход MORNSUN к разработке DC/DC-преобразователей 30.05.2019
Срезы ↓
Новая Инженерная Школа
Новая Инженерная Школа
Курсы и семинары для инженеров, технологов, разработчиков и конструкторов предприятий приборостроения.
Рейтинг@Mail.ru