Муфты электромонтажные от производителя Fucon
РадиоЛоцман - Все об электронике

Ramtron выпускает на рынок сегнетоэлектрическую память FM25V10-G емкостью 1 Мб

Ramtron FM25V10-G

FM25V10-G – сегнетоэлектрическая энергонезависимая память объемом 1 Мб с организацией 128к х 8 бит компании Ramtron. Может использоваться в качестве замены EEPROM в ответственных применениях.

Сегнетоэлектрическая память FM25V10-G емкостью 1 Мб

Память отличается скоростью чтения и записи сравнимой с ОЗУ и высокой надежностью. FM25V10-G имеет интерфейс SPI (40 МГц) и обеспечивает хранение данных в течении 10 лет.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Отличительные особенности:

  • организация памяти: 128к х 8 бит;
  • высокая надежность – до 1014 циклов чтения/записи;
  • хранение данных до 10 лет;
  • интерфейс: SPI (до 40 МГц);
  • напряжение питания: 2.0 В...3.6 В;
  • ток потребления в активном режиме: 90 мкА;
  • температурный диапазон: -40°C...+85°С;
  • тип корпуса: SOIC-8.

Функциональная схема FM25V10-G

Функциональная схема FM25V10-G

Области применения:

  • системы промышленной автоматизации,
  • медицинские приборы.
41 предложений от 21 поставщиков
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 40МГц 8SOIC
Десси
Россия
Микросхема памяти FM25V10-G
Ramtron
128 ₽
Akcel
Весь мир
FM25V10-G
Cypress
от 240 ₽
EIS Components
Весь мир
FM25V10-G
Cypress
508 ₽
ЭИК
Россия
FM25V10-G
Infineon
от 1 626 ₽
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя