Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

18-12-2018

Mitsubishi Electric и Токийский университет открыли новый механизм повышения надежности мощных полупроводниковых SiC устройств

Mitsubishi Electric Corporation, The University of Tokyo

Корпорация Mitsubishi Electric и Токийский университет объявили о совершенно новом, по их мнению, механизме повышения надежности мощных карбид кремниевых (SiC) полупроводниковых устройств в системах силовой электроники. Реализация нового механизма стал возможна в результате подтверждения того факта, что сера, внедренная под границу подзатворного окисла и SiC, захватывает часть электронов протекающего через прибор тока, что повышает пороговое напряжение, не меняя сопротивления прибора. Как ожидается, этот механизм приведет к появлению более надежного силового электронного оборудования с повышенной стойкостью к электромагнитным шумам, способным нарушать работу систем.

Mitsubishi Electric и Токийский университет открыли новый механизм повышения надежности мощных полупроводниковых SiC устройств

О новом открытии было объявлено 3 декабря на конференции IEDM2018 в Сан-Франциско, Калифорния. В дальнейшем Mitsubishi намерена продолжить совершенствовать конструкцию и технические характеристики своих SiC металл-оксид-полупроводниковых полевых транзисторов (SiC MOSFET), чтобы еще больше повысить надежность силовых полупроводниковых приборов на основе SiC.

В ходе исследований Mitsubishi Electric занималась проектированием и изготовлением мощных полупроводниковых SiC устройств и анализом процесса захвата серой электронов из проходящего тока, тогда как Токийский университет отвечал за измерение рассеяния электронов.

До настоящего времени считалось, что по сравнению с обычным азотом или фосфором сера не является подходящим поставщиком электронов для тока проводимости в мощных полупроводниковых устройствах на SiC. Однако Mitsubishi Electric и Токийский университет сосредоточили свое внимание на другом свойстве серы, а именно на том, что сера в SiC по своей природе стремится захватывать электроны. Подтверждение этого свойства стало основой разработки нового механизма для мощных полупроводниковых SiC приборов.

Влияние серы, внедренной под границу раздела между оксидной изоляцией затвора и SiC
Рисунок 1. Влияние серы, внедренной под границу раздела между оксидной изоляцией
затвора и SiC.

Надлежащее количество и распределение атомов серы в SiC (Рисунок 1, справа) до определенной степени блокирует электроны у границы раздела и, таким образом, увеличивает пороговое напряжение, не влияя на сопротивление прибора. Подходящий атом, обладающий такими электрическими свойствами, настоятельно требовался для создания устройств, не подверженных сбоям из-за воздействия внешних электромагнитных помех. В этом отношении новый механизм является более надежным, чем обычные механизмы (Рисунок 2), и при этом позволяет сохранять низкое сопротивление открытого канала.

Зависимость между током и напряжением мощного SiC полупроводникового прибора
Рисунок 2. Зависимость между током и напряжением
мощного SiC полупроводникового прибора.

Перевод: Дмитрий Леканов по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Mitsubishi Electric and the University of Tokyo Reveal New Mechanism for Enhancing Reliability of SiC Power Semiconductor Devices

Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя
Новости по теме:
Новости  »
Новый 4-Мп CCD-сенсор для камерфонов от Mitsubishi Electric Corporation
Новости  »
Mitsubishi Electric сделала антенну из струи морской воды
Новости  »
Mitsubishi Electric разрабатывает прототип активной фазированной антенной решетки для мобильных сетей 5G
Книги  »
БЭК. Выпуск 7. ВЧ и СВЧ компоненты фирмы Mitsubishi Electric
Приборы  »
Видеорегистратор Mitsubishi Electric DX-TL4516E

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия
Лазерный дальномер Leica Disto D1
Дальномер Leica Disto D1
Дальность измерения: 0.2 - 40 м
Цена: от 4 999 руб.
Доставка: Россия
Тепловизор Fluke TiX580
Тепловизор Fluke TiX580
Диапазон измеряемых температур: от 20 до +800 °C
Цена: от 1 458 000 руб.
Доставка: Россия
Рейтинг@Mail.ru