LM4050QML – прецизионный источник опорного напряжения от National Semiconductor стойкий к воздействию радиации (TID – 100 крад), выпускается в керамическом корпусе SOIC-10. Минимальный выходной ток LM4050QML – 60 мкА, максимальный – 15 мА. Для обеспечения высокой точности 0.1% (при 25 °С) применяется технология подгонки Zener-Zap. Схема получения прецизионного напряжения Bandgap и низкий динамический импеданс обеспечивают высокую точность обратного напряжения пробоя в широком диапазоне температур и рабочих токов. LM4050QML не требует подключения параллельного корректирующего конденсатора при работе на емкостную нагрузку.
Технические характеристики:
- Фиксированное выходное напряжение: 2.5 В, 3.3 В, 5 В;
- Начальная точность при токе 100 мкА: 0.1%;
- Емкость нагрузки: до 100 мкФ;
- Выходной ток: от 60 мкА до 15 мА;
- Температурный дрейф: 17 ppm/˚C;
- Шум: 50 мкВ;
- Радиационная стойкость: TID – 100 крад, SEL – 120 МэВ·см2/мг;
- Диапазон рабочих температур: от –55 °С до +125 °С.
Применение:
- Источники питания;
- A/D и D/A преобразователи;
- Прецизионные стабилизаторы;
- Прецизионное контрольно-измерительное оборудование.