Компания IXYS начала производство новых XPT (Extreme Light Punch Through) IGBT транзисторов с номинальными токами от 100 до 210 А при температуре 25 °С. IGBT имеют отличные характеристики:
- напряжение насыщения (Vcesat) – до 1.8 В,
- низкое время спада тока (tfi) – до 42 нс,
- малую энергию выключения (Eoff) – до 0.48 мДж.
Транзисторы имеют прямоугольную безопасную рабочую зону обратного смещения (RBSOA) и расширенную безопасную рабочую зону прямого смещения (FBSOA), что положительно сказывается на надежности их работы.
Транзисторы производятся в двух модификациях по диапазону рабочей частоты. Модификация B3 оптимизирована для работы на частотах 10…30 кГц, а модификация C3 на частотах 20…60 кГц. Так же есть модификации с встроенным анти-параллельными быстрыми диодами серии Sonic-FRDTM (индекс H1, например IXXK100N60C3H1) и серии HiPerFREDTM (индекс D1, например IXXH50N60C3D1). Нужно отметить повышенную рабочую температуру (до 175 °С) и положительный температурный коэффициент напряжения насыщения. Это позволяет легко применять параллельное подключение нескольких XPT транзисторов для достижения нужной мощности.
Краткие характеристики новых XPT IGBT:
|
Тип |
VCES |
IC25 |
IC110 |
Vcesat |
tfi |
Еoff typ |
RthJC |
Конфигурация |
Корпус |
|
600 |
210 |
100 |
1.8 |
150 |
2.80 |
0.18 |
Одиночный |
TO-247 |
|
|
600 |
190 |
100 (90 ºC) |
1.8 |
150 |
2.80 |
0.18 |
Встроенный Sonic-FRD диод |
TO-264 |
|
|
600 |
100 |
50 |
2.3 |
42 |
0.48 |
0.25 |
Одиночный |
TO-247 |
|
|
600 |
100 |
50 |
2.3 |
42 |
0.48 |
0.25 |
Встроенный HiPerFRED диод |
TO-247 |
|
|
600 |
190 |
100 |
2.2 |
75 |
1.40 |
0.18 |
Одиночный |
TO-247 |
|
|
600 |
170 |
100 (90 ºC) |
2.2 |
75 |
1.40 |
0.18 |
Встроенный Sonic-FRD диод |
TO-264 |
 |
 |
|
TO-247 |
TO-264 |
Благодаря своим характеристикам, эти транзисторы идеальны для применения в инверторах, устройствах бесперебойного питания (UPS), устройствах управления электродвигателями, корректорах коэффициента мощности (PFC), зарядных устройства, сварочных аппаратах, балластах для газоразрядных ламп и др.
