На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости: 2014 - 10

Поиск по: "2014"
Найдено: 176 Вывод: 91-100
  1. .. SOIC, QFN (6 × 6 × 0.9 мм) и UQFN (4 × 4 × 0.5 мм) PIC16F1718 Образцы. Серийное производство с мая 2014 28-выводные PDIP, SSOP, SOIC, QFN (6 × 6 × 0.9 мм) и UQFN (4 × 4 × 0.5 мм) PIC16F1717/19 ...
    .. (4 × 4 × 0.5 mm) packages. The PIC16F1718 MCUs are expected to be available for sampling and production in May 2014, in 28-pin PDIP, SSOP, SOIC, QFN (6 × 6 × 0.9 mm) and UQFN (4 × 4 × 0.5 mm) packages. The ...
    08-04-2014
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. .. сроком минимум 10 лет, второй для 15 лет и третий срок в 20 лет или более. Данная программа запущена с января 2014 года и распространяется на микросхемы, уже находящиеся в массовом производстве, а также готовящиеся к выпуску в ...
    10-03-2014
  1. .. silicon via TSV) и предназначенных для корпоративных серверов и дата-центров. Вслед за представленным компанией Samsung в 2014 году первым в мире модулем 3D TSV DDR4 DRAM емкостью 64 ГБ, новый TSV модуль регистровой памяти (RDIMM) ...
    .. enterprise servers and data centers. Following Samsung’s introduction of the world-first 3D TSV DDR4 DRAM (64 GB) in 2014, the company’s new TSV registered dual inline memory module (RDIMM) marks another breakthrough that opens ...
    10-12-2015
  2. .. эффект Джозефсона и для создания обычных процессоров. В конце 1980-х в Японии создали такой экспериментальный процессор. В 2014 исследовательское агентство IAPRA возобновило попытки создать прототип сверхпроводникового компьютера. На сегодня ...
    24-03-2016
  3. .. (EUV extreme ultra violet). Переход на выпуск DRAM класса 10 нм стал для Samsung еще одной важной вехой после освоения ею в 2014 году промышленного производства 4-гигабитных микросхем DDR3 с проектными нормами 20 нм. DRAM 8 Гб класса 10 нм ...
    .. (1x) DRAM marks yet another milestone for the company after it first mass produced 20-nanometer (nm) 4Gb DDR3 DRAM in 2014. Samsung’s leading-edge 10 nm-class 8 Gb DDR4 DRAM significantly improves the wafer productivity of 20 nm 8 ...
    22-06-2016
  4. .. которые позволяют создавать аппаратуру для работы в околоземном пространстве, а также в сложных условиях на земле. В 2014 году появилось первое поколение российских транзисторов серии 2ПЕ203, 2ПЕ204 с напряжением от 30 до 100 В стойких ...
    04-07-2016
  5. .. ЭКБ. В результате, в первых экземплярах спутников Глонасс-К существенно преобладала импортная электроника. После введения в 2014 году санкций на поставку ряда элементов электронной компонентной базы, Микрон в рамках государственной программы ...
    19-07-2016
  6. .. для автомобилей и бытовых приборов. За обеими этими сделками стоял Молленкопф, занявший пост исполнительного директора в 2014 году. Имея в своем распоряжении более $30 млрд. наличными, он был хорошо вооружен для амбициозных шагов. Но ...
    .. Silicon Radio, a maker of wireless chips for cars and household devices. Mollenkopf, who took over as chief executive in 2014, was behind both those deals. And with more than $30 billion in cash at its disposal, he had plenty of ammunition ...
    29-10-2016
  7. .. зрения VISION, проходящей в Штутгарте. Российская выставка VISION Russia Pavilion Conference будет проходить 14 и 15 мая 2014 года в Москве одновременно с SEMICON Russia - ведущей выставкой полупроводников, микроэлектроники и ...
    19-03-2014
  8. .. мая 2014 в ЦВК Экспоцентр состоится открытие премьерной экспозиции машинного зрения VISION Russia Pavilion Conference, ...
    12-05-2014

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "2014" в других поисковых системах: Везде-РадиоЛоцман DataSheet.ru
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России