Новая GaNFast микросхема забирает еще часть рынка старых медленных кремниевых чипов Navitas Semiconductor сообщила о появлении в семействе GaNFast новой 650-вольтовой силовой микросхемы NV6128 , предназначенной для устройств мощной мобильной и ...
.. a 66% increase in current capability, in a small, 6 × 8 mm PQFN package with a proprietary, integrated cooling pad for high-efficiency, high-density power systems. Gallium nitride (GaN) is a next-generation semiconductor ...
Двухканальный драйвер затвора низкого напряжения с высоким током 24 В для управления переключателями большой мощности EiceDRIVER 24 В двухканальный неинвертирующий драйвер затвора нижнего плеча для полевых МОП-транзисторов или IGBT с типичными ...
Двухканальный драйвер затвора низкого напряжения с высоким током 24 В для управления переключателями большой мощности EiceDRIVER 24 В двухканальный неинвертирующий драйвер затвора нижнего плеча для полевых МОП-транзисторов или IGBT с типичными ...
Infineon Technologies расширяет свой портфель приборов EiceDRIVER новым двухканальным 24-вольтовым драйвером затвора нижнего плеча со встроенным теплоотводом. Микросхема, имеющая функцию разрешения, может работать на высоких частотах переключения, ...
.. broadens its EiceDRIVER™ portfolio with the new 24 V dual-channel low side gate driver with an integrated thermal pad. It can be operated with high switching frequencies as well as highest peak output currents and offers an enable ...
Журнал РАДИОЛОЦМАН, апрель 2020 Электрическим транспортным средствам, большим аккумуляторным блокам, средствам домашней автоматизации, промышленным и телекоммуникационным устройствам может требоваться преобразование высоких напряжений в 12 В для ...
.. converter using a single LT8315 IC: 30 V to 400 V input to 12 V outputs at 30 mA each. In this topology, LT8315’s GND pad is intentionally ungrounded and connected as the common switch node for driving both outputs. For PCB layout, ...
30 A - 800 В - 150 C Симистор серии H в TO-220AB Ins. Специально разработанный для работы при 800 В и 150 C, симистор T3035H-8I в изолированном корпусе TO-220AB обеспечивает улучшенное тепловое управление: этот симистор на 30 А является правильным ...
20 A - 800 В - 150 C Симистор серии H в TO-220AB Ins. Специально разработанный для работы при 800 В и 150 C, симистор T2035H-8I в изолированном корпусе TO-220AB обеспечивает улучшенное управление температурой: этот симистор на 20 А является ...
16 А - 800 В - 150 C Симистор серии H в TO-220AB Ins. Специально разработанный для работы при 800 В и 150 C, симистор T1635H-8I в изолированном корпусе TO-220AB обеспечивает улучшенное управление температурой: этот симистор на 16 А является ...
8 А - 800 В - 150 C 8H-симистор в TO-220AB Ins. Специально разработанный для работы при 800 В и 150 C, симистор T835H-8I в изолированном корпусе TO-220AB обеспечивает улучшенное управление температурой: этот симистор на 8 А является правильным ...
12 А - 800 В - 150 C 8H-симистор в TO-220AB Ins. Специально разработанный для работы при 800 В и 150 C, симистор T1235H-8I в изолированном корпусе TO-220AB обеспечивает улучшенное управление температурой: этот симистор на 12 А является правильным ...
