Публикации: маркировка - 6

51. International Rectifier представляет два 120В DC-DC конвертера в герметичном корпусе, обладающие на 25% большей отдачей энергии
    Новости Электронные компоненты International Rectifier AFL12005S AFL1203R3S
    .. конвертеры доступны в четырех класса экранирования. Предлагаются варианты электрического и механического экранирования. Маркировка Корпус (Д x Ш x В) Uвх(В) Iвых (A) Uвых(V) Pвых @ Imax -55 C - +125 C КПД @ 25 C AFL12005S** ...

    International Rectifier Introduces Two 120V Input, Hermetically-Sealed, DC-DC Converters that Handle 25% More Power

    International Rectifier introduces two hermetically sealed, 120V input DC-DC converters that handle up to 84W per cubic inch power density, and deliver up to 80% efficiency. The new AFL12005S delivers 16A at 5V output, and the AFL1203R3S delivers ...

    14 января 2003

Купить маркировка на РадиоЛоцман.Цены — от до 13 730 ₽ 1936 предложений от 17 поставщиков светоотражающие ленты. полиграфическое оборудование. Технология отражения микропризматическая Материал УФ-стабилизированный полимер Толщина пленки 0.2 мм Назначение для …
Зенер Россия и страны ТС	олодки - Маркировка	₽	Купить
Десси Россия	Маркер Edding-8050 для маркировки шин, резины. Цвет белый толщина 2,0-4,0 мм	360 ₽	Купить

52. International Rectifier представляет универсальные 80В MOSFET транзисторы для использования в изолированных DC-DC преобразователях
    Новости Дискретные компоненты International Rectifier IRF1312 IRF1312S IRF1312L
    .. в открытом состоянии для минимизации токовых потерь. IRF1312 выпускается в TO-220AB, D2Pak и TO-262 корпусах. Маркировка Корпус VDSS(В) RDSon max @ 10Vgs(m W ) Qg typ(nC) Qgd typ(nC) IRF1312 TO-220AB 80 10 93 34 IRF1312S ...

    International Rectifier Introduces Versatile 80V MOSFETs for Primary- and Secondary-Side Isolated DC-DC Converters

    International Rectifier introduces the IRF1312 HEXFET® power MOSFET, rated at 80V, which can be used as both a primary- and a secondary-side MOSFET in an isolated DC-DC converter for netcom and datacom systems. As a primary-side MOSFET, the ...

    16 февраля 2003

53. International Rectifier представляет экономичные, мощные, 150КГц IGBT транзисторы для высокочастотных импульсных блоков питания
    Новости Дискретные компоненты International Rectifier IRGP50B60PD1 IRGP35B60PD IRGP20B60PD IRGB20B60PD1
    .. же корпусе, а также до 20А в TO-220 корпусе, что на 18% превышает способности 600В MOSFET транзисторов в таком же корпусе. Маркировка Корпус Uкэ Iк при 25C Uкэ(вкл.) Встроен. диод Qg IRGP50B60PD1 TO-247 600 50A 2.0В @33A 15A 205nC ...

    International Rectifier Introduces Economical, High Power, 150kHz IGBTs for High Frequency SMPS Applications

    International Rectifier introduces new WARP2 TM 600V 50A, 35A and 20A non-punch through (NPT) IGBTs with improved turn-off characteristics for high current, high frequency switch-mode power supply (SMPS) circuits in telecom and server systems. The ...

    17 февраля 2003
54. International Rectifier представляет стандартные микросхемные DC-DC преобразователи с 80% КПД при 25^oC
    Новости Электронные компоненты International Rectifier AFL503R3S AFL5005S AFL1203R3S AFL12008S
    .. 3,3В до 28В выходного напряжения. Сдвоенные преобразователи вырабатывают следующие выходные напряжения: 5В, 12В и 15В. SMD маркировка IR эквивалентная маркировка Uвх(В) Pвых(Вт) U1(В) I1(A)** U2(В) I2(A)** КПД (%) 5962-02556 AFL503R3S ...

    International Rectifier Introduces Standard Microcircuit Drawing-Certified DC-DC Converters with Up to 80% Efficiency at 25°C

    International Rectifier introduces two new families of Advanced Analog 120W output DC-to-DC converters that are DSCC SMD qualified, offering enhanced reliability. The newly SMD qualified products are operable from nominal inputs of 50V (AFL50 ...

    18 февраля 2003
55. Обзор 15 компьютерных корпусов
    Статьи Компьютеры и периферия
    .. многих случаях она хорошо отражает происхождение. К примеру, корпуса Antec поставляются в коробках, где четко присутствует маркировка Antec. К тому же, если цена оказывается значительно ниже, чем цена нормального корпуса - то перед ...
    16 февраля 2003
56. Micron представляет два новых маломощных CMOS сенсора изображения VGA-разрешения
    Новости Электронные компоненты Micron
    .. (AWB). Все эти и другие функции реализованы на одном единственном чипе. Образцы SoC камеры с CMOS сенсором VGA-разрешения (маркировка: MI-SOC-0343) и автономного CMOS сенсора (маркировка: MI-0343) уже доступны.

    Micron Introduces Two New Low-Power VGA-Size CMOS Image Sensors

    Camera System-on-a-Chip and stand-alone sensor offer ideal solution for rapidly growing mobile market Boise, Idaho, February 17, 2003 - Micron Technology, Inc., today announced samples of VGA-size ultra low-power CMOS image sensor camera ...

    23 февраля 2003
57. International Rectifier представляет DC-DC преобразователи с защитой от радиации для космической отрасли
    Новости Электронные компоненты International Rectifier M3L2803S M3L2805S M3L2812S M3L2815S M3L2805D M3L2812D M3L2815D
    .. compliance Вес 85 грамм Температурный диапазон: -55 C to +125 C TTL совместимые ON/OFF команды Размеры: 2.3x1.5x0.405 дюйма Маркировка 1, 3 U1 (В) I1 (A) U2 (В) I2 (A) Регулировка 2 (%) Выходная мощность M3L2803S 3.3 6.06 - - 1 20 Вт ...

    International Rectifier Introduces Radiation-Tolerant 'Building Block' DC-DC Converters for Low Earth Orbit and Launch Vehicle Power Systems

    International Rectifier introduces the M3L28 family of standard, off-the-shelf, radiation-tolerant DC-to-DC converter building blocks that address space industry demand for shorter design cycles and less costly design analyses. The M3L DC-DC ...

    9 марта 2003
58. International Rectifier представляет новые 12В N-канальные MOSFET транзисторы
    Новости Дискретные компоненты International Rectifier IRF7910 IRF7476 IRF7475 IRLR3802 IRLU3802
    .. с током нагрузки порядка 10А следут использовать два IRF7476 или IRF7475 транзистора, а для токов до 12А - IRLR3802. Маркировка BVDSS VGS Сопротивление(вкл.) max @4.5В Сопротивление(вкл.) max @2.8В QG тип.@50% VDS QGD тип. Тип ...

    International Rectifier Introduces New 12V N-Channel MOSFETs that Deliver Up to 15% Higher Current Capability for 3.3V & 5V Input Buck Converters

    International Rectifier introduces four new 12V HEXFET® power MOSFETs optimized for low input voltage (typically 3.3V and 5V) point-of-load (POL) buck converters. The new MOSFETs deliver up to 15% higher current handling capability when ...

    20 марта 2003
59. International Rectifier представляет стандартные выпрямительные диоды с повышенным сопротивлением скачкам напряжения
    Новости Дискретные компоненты International Rectifier 50PF 80PF 95PF
    .. 70HF и 85HF семейства диодов. Выпускаются модели с анодом в качестве штифта с резьбой, а также с катодом в качестве штифта. Маркировка Предыдущая маркировка Корпус Напряжение Ток 50PFxxx 40HF(R)xxx DO-5 Пластиковый колпак 400В-1200В 50A ...

    International Rectifier Introduces Standard Recovery Diodes with Improved Surge Capability in a New DO-5 Package

    International Rectifier introduces a new family of standard-recovery diodes in a stud-mount DO-5 plastic-cap case. The move to a plastic-cap DO-5 package improves surge current capability by as much as 40%. Diodes are used to convert raw ...

    10 марта 2003
60. International Rectifier представляет высоко эффективные, промышленные MOSFET транзисторы для бесперебойных источников питания и систем контроля двигателей
    Новости Дискретные компоненты International Rectifier IRF8010 IRF8010L IRF8010S
    .. позволяют разработчикам проектировать надежные устройства, способные функционировать в экстремальных условиях. Маркировка VDSS Сопр. перехода(ON) Iпр RthJ-C Темп. Корпус IRF8010 100V 12m W 80A 0.57 C/W 175 TO-220 IRF8010L ...

    International Rectifier Introduces Highly Efficient, Industrial-Qualified MOSFETs for Uninterruptible Power Supply and Motor Control

    International Rectifier introduces the IRF8010 series HEXFET® power MOSFETs with as much as 10% lower on-resistance, or RDS(on) than previous devices. The new devices have high current density and low on-resistance (12 milliohms typical) for ...

    2 апреля 2003

Сортировать по: релевантность / дата