Эффективное сдвоенное устройство, идеально подходящее для использования в драйверах светодиодных фар автомобилей Toshiba Electronics Europe выпустила сдвоенный MOSFET с высокими уровнями защиты от электростатических разрядов. Новый прибор SSM6N813R ...
.. IC for headlight LEDs, which require a high withstand voltage and a small footprint. A maximum drain-source voltage (V DSS ) of 100 V ensures that the SSM6N813R is suitable for headlight applications requiring multiple LEDs, a capability ...
.. усилителя состоит в смещении напряжения V GS JFET к уровню 0 В и, следовательно, в смещении тока I D к значению I DSS . (Здесь V GS напряжение затвор-исток, I D ток стока, I DSS ток стока при нулевом напряжении на затворе). Усилитель ...
.. the topology that Figure 1 shows. The purpose of the op amp is to bias the JFET at V GS = 0 V and, therefore, at I D = I DSS . It meets this goal by increasing the current in the bipolar transistor until V GS = 0 V and I D = I DSS . Figure ...
.. 1а, имеет средний выходной импеданс и большой производственный разброс напряжения отсечки V P и начального тока стока I DSS . Эти производственные разбросы ограничивают начальную точность установки тока, которую может иметь схема при ...
.. common JFET current-source in Figure 1a has average output impedance and depends heavily on the JFET's V P and I DSS variations. These manufacturing variations limit the initial accuracy of the current setpoint that the circuit can ...
.. на основе JFET, включенного по схеме с общим стоком. Когда JFET работает в области насыщения, ток стока I D равен: где I DSS максимальный ток насыщения, V GS напряжение затвор-исток, V P напряжение отсечки. Для моделирования JFET в этой ...
.. transistor, as a common drain. When the JFET transistor works in the saturation zone, the drain current, I D , is: where I DSS is the maximum saturation current and V P is the pinch-off voltage. You can model the JFET in this saturation zone ...
В обратноходовых преобразователях со стабилизацией на первичной стороне слабая связь между вторичной силовой и первичной вспомогательной обмоткой часто приводит к плохому перекрестному регулированию. Эта ситуация возникает в основном из-за ...
.. voltage. Figure 1 shows a typical application schematic using NCP1200 in an auxiliary-winding configuration. This IC uses a DSS (dynamic self-supply), but in some low-standby-power applications, it is desirable to permanently disconnect this ...
.. 1 можно аппроксимировать следующим выражением: где I D требуемое значение постоянного тока; V GS(OFF) напряжение отсечки; I DSS ток насыщения при напряжении затвор-исток, равном 0 В. V GS(OFF) и I DSS являются характеристиками транзистора и ...
.. approximated by the following equation: where, I D = desired constant current value, V GS(OFF) = pinch-off voltage, and I DSS = saturation current at V GS = 0 V. V GS(OFF) and I DSS are device characteristics and will vary from lot to lot. ...
Несмотря на название, в этой статье описывается не устройство, которое подскажет вам, когда надевать солнцезащитные очки, а полезное дополнение к (аналоговому) аудиокомплекту. Встроенное, например, в микшер, оно покажет, когда выходной сигнал ...
.. Q1 on while it does so. Q2, an n-channel JFET, is used as a constant-current diode, limiting the LED current to its I DSS or saturation drain current value, which is around 7 8 mA for the 2N5485 shown and largely independent of rail ...
