Публикации: DSS 60-0045B - 6

51. DSS4140V-7 — Datasheet Diodes -
    Datasheets
    

    Наименование модели: DSS4140V-7 Производитель: Diodes Описание: Транзистор, NPN, SOT563, 0.6 Вт Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DSS4140V LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models ...
    13 марта 2011

Купить DSS 60-0045B на РадиоЛоцман.Цены — от 2.72 до 4 427 ₽ 268 предложений от 24 поставщиков Японский кухонный нож Samura Harakiri SHR-0045B/K предназначен для филигранной нарезки различных продуктов на предприятиях общественного питания и торговли, в частных …
AiPCBA Весь мир	FW0045B	2.72 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	DSS60-0045B IXYS	от 679 ₽	Купить

52. Прецизионный измеритель тока верхнего плеча
    Catherine Chang
    Схемы Аналоговая схемотехника Linear Technology LTC2063, LT1389 · Измерения Linear Technology
    .. источником ошибки нулевой точки является ток стока P-канального полевого транзистора при нулевом напряжении на затворе (I DSS ) паразитный ток, существующий при ненулевом напряжении сток-исток (V DS ) и номинально выключенном транзисторе ...

    Precision Ultralow Power High Side Current Sense

    Catherine Chang

    .. to 100 uA I SENSE . Another source of zero point error is the output PMOS’s zero gate voltage drain current, or I DSS , a parasitic current that is present for nonzero V DS when the PMOS is nominally turned off (|V GS | = 0). A ...

    19 сентября 2018

53. Toshiba выпускает сдвоенный MOSFET с высоким уровнем защиты от электростатических разрядов
    Новости Дискретные компоненты Авто Toshiba SSM6N813
    Эффективное сдвоенное устройство, идеально подходящее для использования в драйверах светодиодных фар автомобилей Toshiba Electronics Europe выпустила сдвоенный MOSFET с высокими уровнями защиты от электростатических разрядов. Новый прибор SSM6N813R ...

    Toshiba releases small MOSFET with excellent ESD protection

    .. IC for headlight LEDs, which require a high withstand voltage and a small footprint. A maximum drain-source voltage (V DSS ) of 100 V ensures that the SSM6N813R is suitable for headlight applications requiring multiple LEDs, a capability ...

    21 февраля 2019
54. Операционный усилитель делает повторяемыми схемы с полевыми транзисторами
    Схемы Аналоговая схемотехника Analog Devices LT1097
    .. усилителя состоит в смещении напряжения V GS JFET к уровню 0 В и, следовательно, в смещении тока I D к значению I DSS . (Здесь V GS напряжение затвор-исток, I D ток стока, I DSS ток стока при нулевом напряжении на затворе). Усилитель ...

    Op amps make JFET circuits repeatable

    .. the topology that Figure 1 shows. The purpose of the op amp is to bias the JFET at V GS = 0 V and, therefore, at I D = I DSS . It meets this goal by increasing the current in the bipolar transistor until V GS = 0 V and I D = I DSS . Figure ...

    15 декабря 2020
55. DSS4160U-7 — Datasheet Diodes -
    Datasheets Diodes DSS4160U-7
    

    Наименование модели: DSS4160U-7 Производитель: Diodes Описание: Транзистор, NPN, SOT323, 0.4 Вт Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DSS4160U LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features · · · · · · Epitaxial Planar Die ...
    13 марта 2011
56. Источник опорного напряжения улучшает характеристики полевого транзистора
    Схемы Аналоговая схемотехника Питание National Semiconductor LM4130
    .. 1а, имеет средний выходной импеданс и большой производственный разброс напряжения отсечки V P и начального тока стока I DSS . Эти производственные разбросы ограничивают начальную точность установки тока, которую может иметь схема при ...

    Voltage reference improves JFET

    .. common JFET current-source in Figure 1a has average output impedance and depends heavily on the JFET's V P and I DSS variations. These manufacturing variations limit the initial accuracy of the current setpoint that the circuit can ...

    22 июля 2021
57. LC-генераторы на полевом транзисторе с p-n переходом
    Herminio Martinez
    Статьи Генераторы ON Semiconductor 2N3819
    .. на основе JFET, включенного по схеме с общим стоком. Когда JFET работает в области насыщения, ток стока I D равен: где I DSS максимальный ток насыщения, V GS напряжение затвор-исток, V P напряжение отсечки. Для моделирования JFET в этой ...

    JFETs Offer LC Oscillators with Few Components

    Herminio Martinez

    .. transistor, as a common drain. When the JFET transistor works in the saturation zone, the drain current, I D , is: where I DSS is the maximum saturation current and V P is the pinch-off voltage. You can model the JFET in this saturation zone ...

    21 октября 2021
58. Транзисторы укрощают индуктивность рассеяния
    Christophe Basso
    Схемы Питание ON Semiconductor NCP1200 MTP3N60E
    В обратноходовых преобразователях со стабилизацией на первичной стороне слабая связь между вторичной силовой и первичной вспомогательной обмоткой часто приводит к плохому перекрестному регулированию. Эта ситуация возникает в основном из-за ...

    Transistors tame perfidious leakage inductance

    Christophe Basso

    .. voltage. Figure 1 shows a typical application schematic using NCP1200 in an auxiliary-winding configuration. This IC uses a DSS (dynamic self-supply), but in some low-standby-power applications, it is desirable to permanently disconnect this ...

    29 сентября 2022
59. DSS4160V-7 — Datasheet Diodes -
    Datasheets Diodes DSS4160V-7
    

    Наименование модели: DSS4160V-7 Производитель: Diodes Описание: Транзистор, NPN, SOT563, 0.6 Вт Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DSS4160V LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models ...
    13 марта 2011
60. Схема защиты от напряжений ±500 В
    Схемы Измерения Microchip LND150N8-G
    .. 1 можно аппроксимировать следующим выражением: где I D требуемое значение постоянного тока; V GS(OFF) напряжение отсечки; I DSS ток насыщения при напряжении затвор-исток, равном 0 В. V GS(OFF) и I DSS являются характеристиками транзистора и ...

    ±500 Volt Protection Circuit

    .. approximated by the following equation: where, I D = desired constant current value, V GS(OFF) = pinch-off voltage, and I DSS = saturation current at V GS = 0 V. V GS(OFF) and I DSS are device characteristics and will vary from lot to lot. ...

    29 декабря 2022

Сортировать по: релевантность / дата