Публикации: DT 830 - 7

61. Где АЦП?
    Форум Измерения
    Здравствуйте. Завалялся у меня осцилл-приставка Velleman. Он рабочий, но из-за того, что цепляется на LPT порт, оказался в конце концов не у дел. Поэтому возникло желание использовать что-нибудь ценное из его кишок. Я его открыл, фото ниже. И сразу ...
    29 апреля 2022

62. Точное управление ступенчатыми приращениями напряжения с помощью углового энкодера
    Anthony Smith
    Схемы Генераторы Texas Instruments CD4053B CD4093B TLC271 LMC6081
    .. позволяет определить величину шагов выходного напряжения: где I амплитуда импульсов тока, проходящего через резистор R7, dt длительность выходного импульса элемента IC1c, C емкость конденсатора C4. При фиксированных номиналах C3 и R6 ...

    Control accurate incremental voltage steps with a rotary encoder

    Anthony Smith

    .. allows us to determine the magnitude of the output steps: where I is the magnitude of the current pulse through R7, dt is the duration of the pulse output by IC1c, and C is the value of C4. With fixed values of C3 and R6, dt will be a ...

    19 апреля 2022

63. Устройство на КМОП элементах измеряет емкости пикофарадного диапазона
    Raju Baddi
    Схемы Измерения Texas Instruments CD4069UB
    Инверторы КМОП микросхемы CD4069 можно применять как в цифровых, так и в аналоговых приложениях. Предлагаемая статья иллюстрирует это на примере использования всех шести инверторов корпуса микросхемы CD4069 для создания измерителя емкости с ...

    Sub-picofarad measurement with CMOS inverters

    Raju Baddi

    The inverters in a CMOS CD4069 can be used for both analog as well as digital applications. This Design Idea illustrates this by using all six inverters in a 4069 package to make a closed loop, duty-cycle-based capacitance meter with a full scale ...

    9 марта 2022
64. Как подавлять электромагнитные помехи в импульсных источниках питания
    Steve Taranovich
    Статьи Питание
    .. контуру и содержащий высокочастотные гармоники. Уменьшение площади этого контура, снижение скорости изменения тока (di/dt) или его амплитуды способствуют ослаблению излучаемой помехи. Модуляция частоты переключения в импульсных источниках ...

    How to Reduce EMI in Switching Power Supplies

    Steve Taranovich

    .. field is typically a current containing high-frequency harmonics that are flowing in a loop. Reducing the loop area, the di/dt, or the current peak amplitude will help reduce radiated noise. Dithering in Switching Voltage Regulators Dithering ...

    17 февраля 2022
65. Двухканальные драйверы затворов компании STMicroelectronics оптимизируют и упрощают управление IGBT и SiC MOSFET
    Новости Драйверы STMicroelectronics STGAP2HD STGAP2SICD
    Два новых двухканальных гальванически изолированных драйвера затворов IGBT и карбидокремниевых (SiC) MOSFET компании STMicroelectronics экономят место на плате и упрощают разработку высоковольтных преобразователей энергии и промышленных приложений. ...

    Dual Gate Drivers from STMicroelectronics Optimize and Simplify SiC and IGBT Switching Circuits

    .. technology to provide 6 kV transient-voltage capability in a SO-36W wide-body package. In addition, 100 V/ns dv/dt transient immunity prevents spurious turn-on in electrically noisy operating conditions. The devices can deliver a ...

    7 февраля 2022
66. Уменьшение уровня электромагнитных помех импульсных преобразователей путем оптимизации размещения элементов на печатной плате
    Timothy Hegarty
    Статьи Печатные платы Питание Texas Instruments LM5146-Q1
    .. поле) помех, создаваемых импульсными преобразователями постоянного напряжения, являются резкие изменения напряжений (dv/dt) и токов (di/dt) в моменты коммутации силовых транзисторов. Одним из эффективных способов решения этой проблемы ...

    Improve High-Current DC/DC Regulator EMI Performance for Free with Optimized Power Stage Layout

    Timothy Hegarty

    .. The high dv/dt and di/dt switching transients during MOSFET commutation are the chief sources of both conducted and radiated EMI ...

    4 февраля 2022
67. STGAP2SICD — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets STMicroelectronics STGAP2SICD
    .. высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 A сток/источник при 25 °C Устойчивость к переходным процессам dV/dt ±100 В/нс Общая задержка распространения вход-выход: 75 нс Отдельный приемник и источник для простой настройки ...
    3 февраля 2022
68. STGAP2SICDTR — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets STMicroelectronics STGAP2SICDTR
    .. высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 A сток/источник при 25 °C Устойчивость к переходным процессам dV/dt ±100 В/нс Общая задержка распространения вход-выход: 75 нс Отдельный приемник и источник для простой настройки ...
    3 февраля 2022
69. STGAP2SICD — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets STMicroelectronics
    .. высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 A сток/источник при 25 °C Устойчивость к переходным процессам dV/dt ±100 В/нс Общая задержка распространения вход-выход: 75 нс Отдельный приемник и источник для простой настройки ...
    3 февраля 2022
70. STGAP2HDM — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets STMicroelectronics STGAP2HDM
    .. высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 A сток/источник при 25 °C Устойчивость к переходным процессам dV/dt ±100 В/нс Общая задержка распространения вход-выход: 75 нс Отдельный приемник и источник для простой настройки ...
    3 февраля 2022

Сортировать по: релевантность / дата