Публикации: NM - 8

71. Samsung Electronics представила первый в мире 512-мегабитный чип памяти DDR2, изготовленный по технологии 70 нм
    Новости Память Samsung
    Новая 70-нанометровая технология подобна 80-нм и 90-нм процессам, в настоящее время используемым Samsung при производстве большинства видов памяти DRAM, однако полезный выход чипов с одной пластины по меньшей мере на 100% выше, чем можно получить с ...

    Samsung Electronics Develops World's First 512-Megabit DDR2 with 70nm Process Technology

    Samsung Electronics announced that it has completed development of the world-first 512-Megabit (Mb) DDR2 SDRAM using 70-nanometer process, the smallest process technology yet applied to a DRAM device. The new 70nm technology maintains continuity ...

    6 ноября 2005

72. Корпорация Intel начала поставлять высокопроизводительные модули многоуровневой флэш-памяти NOR для мультимедийных карманных устройств, производимые с использованием 90-нм технологии
    Новости Память Intel
    Корпорация Intel объявила о начале массовых поставок первых в отрасли модулей многоуровневой ячеистой (multi-level cell, MLC) флэш-памяти NOR, производимых с использованием 90-нанометровой технологии. Новые модули Intel® StrataFlash® ...

    Intel Launches High-Performance 90-Nanometer Multi-Level-Cell Nor Flash Memory For Multimedia Handsets

    .. Corporation announced it is shipping in volume the industry's first 90-nanometer (nm) multi-level cell (MLC) NOR flash memory device. The new Intel StrataFlash® Cellular Memory (M18) delivers faster ...

    22 ноября 2005

73. Texas Instrument представляет A-GPS решение для мобильных телефонов
    Новости Электронные компоненты Texas Instruments
    Texas Instruments создала первый производственный микроконтроллер assisted Global Positioning System (A-GPS) используя 90 нм технологический процесс, который предназначен специально для мобильных телефонов. A-GPS позволяет мобильному телефону ...

    TI Single Chip Drives Mapping, Emergency and Location-based Services in Mobile Phones

    .. (TI) introduced the industry's first single-chip assisted global positioning system (A-GPS) solution in 90 nanometer (nm) process technology for mobile phones. A-GPS enables consumers to connect to a satellite from their mobile phone to ...

    27 ноября 2005
74. Intel представляет сверхбыстрый транзистор с малым энергопотреблением на основе нового материала - InSb
    Новости Технологии электронных компонентов Intel
    Корпорация Intel объявила о создании прототипа нового сверхбыстрого и при том очень экономичного транзистора. Это стало возможным благодаря использованию новых материалов, которые во второй половине следующего десятилетия могут послужить основой ...

    Intel Announces Chip Technology Breakthrough Using New Materials

    New Material Could Help Chips Run Cooler, Use Less Energy Intel Corporation announced development of a new, ultra-fast, yet very low power prototype transistor using new materials that could form the basis of its microprocessors and other logic ...

    14 декабря 2005
75. ColdFire+ укрепляют лидерство Freescale на рынке 32-битных микроконтроллеров
    Новости Микроконтроллеры Freescale MCF51QU MCF51QH MCF51QF MCF51QM MCF51JU MCF51JF
    Компания Freescale Semiconductor укрепила свое лидерство на рынке 32-битных микроконтроллеров, представив 40 микроконтроллеров ColdFire+ (плюс). Микроконтроллеры ColdFire+ базируются на ядре V1 ColdFire, внутренняя Flash-память выполнена по 90 нм ...

    Freescale accelerates design innovation with 90 nanometer ColdFire+ mixed-signal microcontroller solutions

    .. of 40 new ColdFire+ (plus) devices, taking its proven ColdFire portfolio to new heights. Built from 90 nanometer (nm) Thin Film Storage (TFS) flash technology with FlexMemory, ColdFire+ MCUs promise to be one of the most integrated, ...

    14 июня 2010
76. Компания Freescale представила новую структуру МОП-транзистора c вертикальными и планарными областями
    Новости Технологии электронных компонентов Freescale
    Компания Freescale продемонстрировала экспериментальный образец нового типа МОП-транзисторов, названного ITFET (Inverted T Channel-Field Effect Transistor). Впервые в полупроводниковой индустрии был изготовлен транзистор, в котором сочетаются ...

    Freescale Introduces Novel Transistor Architecture For CMOS - Inverted T Channel-Field Effect Transistor (ITFET)

    .. stability of the vertical channels. The ITFET device was fabricated using innovative process techniques on 90-nanometer (nm) CMOS silicon-on-insulator production equipment at Freescale's Austin Technology Manufacturing Center. Freescale ...

    18 января 2006
77. Freescale представляет первую 24 Мбит микросхему энергонезависимой памяти на базе кремниевых нанокристаллов
    Новости Технологии электронных компонентов Freescale
    Новая технология энергонезависимой памяти, позволяющей получать более компактные, быстрые и дешевые кристаллы по сравнению с обычной flash- памятью, благодаря усилиям компании Freescale Semiconductor становится реальностью. Freescale объявила о ...

    Freescale manufactures world's first 24-Mbit silicon nanocrystal memory

    .. 24-Mbit memory array technology was manufactured at Freescale's Austin Technology Manufacturing Center using 90-nanometer (nm) CMOS bulk technology. The production of a working 24-Mbit memory device requires that silicon nanocrystals be ...

    23 января 2006
78. Созданы транзисторы, способные пропустить один единственный электрон
    Новости Технологии электронных компонентов
    На днях ученые продемонстрировали первые работающие транзисторы, способные пропустить один единственный электрон. Экспериментальные устройства, разработанные в NTT Corp. of Japan и протестированные в National Institute of Standards and Technology ...

    Scientists Have Demonstrated Silicon Transistors Powered By Single Electrons

    .. five uniform, working silicon transistors with tunable barriers. Each device consists of a silicon channel 360 nanometers (nm) long and 30 nm wide, with three gates crossing the channel. The gates have two levels; the upper level turns the ...

    6 февраля 2006
79. Исследователи IBM создали законченную схему кольцевого генератора на базе единичной углеродной нанотрубки
    Новости Технологии электронных компонентов IBM Microelectronics
    Корпорация IBM объявила, что ее исследователи построили первую законченную электронную интегральную схему на базе единичной “углеродной нанотрубки” - молекулы материала, который в перспективе может стать основой для более ...

    IBM Milestone Advances Effort to Enhance Semiconductors Through Nanotechnology

    IBM announced that its researchers have built the first complete electronic integrated circuit around a single “carbon nanotube” molecule, a new material that shows promise for providing enhanced performance over today’s standard ...

    27 марта 2006
80. Freescale и STMicroelectronics заключили соглашение об обмене технологиями на рынке автомобильных приложений микроконтроллеров
    Новости Микроконтроллеры STMicroelectronics
    Freescale и STMicroelectronics объявили о создании альянса c целью усиления позиций на рынке автомобильных приложений. Альянсом предусматривается создание объединенной группы по разработке новых микроконтроллеров, а также обмен технологиями ...

    STMicroelectronics and Freescale Launch Broad Technology Agreement for Automotive Applications

    .. on PowerPC® cores; the basic Intellectual-Property (IP) for automotive and navigation applications; alignment of 90-nm embedded Flash process technology; and high-voltage Power MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors) ...

    26 апреля 2006

Сортировать по: релевантность / дата