Компания Freescale продемонстрировала экспериментальный образец нового типа МОП-транзисторов, названного ITFET (Inverted T Channel-Field Effect Transistor). Впервые в полупроводниковой индустрии был изготовлен транзистор, в котором сочетаются традиционная планарная и вертикальная структура. Подобная технология позволяет значительно улучшить характеристики полупроводниковых приборов и уменьшить их габариты, что ведет к снижению энергопотребления.
Традиционно транзисторы изготавливаются с использованием планарных (горизонтальных) структур, однако в последнее время появился новый вариант построения интегральных схем с использованием вертикальных транзисторов. Наряду с улучшением характеристик и уменьшением размеров транзисторной ячейки данная технология предоставляет новые возможности по управлению транзисторами с помощью нескольких затворов, что позволяет обеспечить большую вычислительную мощность и снизить энергопотребление интегральных схем. Недостатком данной технологии является сложность разработки и производства подобных структур.
Компании Freescale Semiconductor удалось совместить технологичность изготовления планарных структур и преимущества вертикальной архитектуры. Этот прорыв в технологии изготовления проводниковых компонентов служит своего рода мостиком между двумя подходами к созданию транзисторных структур и дает возможность получить достоинства обеих технологий в одном устройстве.
Объединение вертикальной и планарной областей внутри транзистора выполнено таким образом, чтобы обеспечить более широкий канал для протекания больших токов, при этом размеры самого транзистора не увеличиваются. Уникальность структуры транзистора заключается в том, что кремниевая подложка планарной структуры располагается под вертикальными каналами, уменьшая паразитные емкости, образующиеся при травлении вертикальной структуры в процессе изготовления транзисторной ячейки.
Новый транзистор ITFET был создан с использованием 90-нм технологии на фабрике в г. Остин, США. Компания Freescale Semiconductor планирует применять технологию ITFET для изготовления высокопроизводительных процессоров по технологическим нормам 45 нм и выше.
