Публикации: TO-3P - 10

91. FEP30DP-E3 — Datasheet Vishay -
    Datasheets
    

    Наименование модели: FEP30DP-E3 Производитель: Vishay Описание: Диод, ULTRAFAST, 30 А, TO-3P Спецификации: Diode Configuration: Dual Common Cathode Diode Type: Fast Recovery Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 200 В Forward Current If(AV): 30 А ...
    19-04-2011

92. SBL3040PT-E3 — Datasheet Vishay -
    Datasheets
    

    Наименование модели: SBL3040PT-E3 Производитель: Vishay Описание: Диод, Шоттки, 30 А, TO-3P Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SBL3030PT & SBL3040PT Vishay General Semiconductor Dual Common-Cathode Schottky Rectifier FEATURES · ...
    19-04-2011

93. DPG60IM400QB — Datasheet IXYS -
    Datasheets
    

    Наименование модели: DPG60IM400QB Производитель: IXYS Описание: Диод, FAST, TO-3P Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DPG 60 IM 400QB advanced HiPerFREDІ High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery Single Diode Part ...
    21-04-2011
94. FFA60UA60DN — Datasheet Fairchild -
    Datasheets
    

    Наименование модели: FFA60UA60DN Производитель: Fairchild Описание: Диод, сдвоенный RECTIF, 600 В, 60 А, TO-3P Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FFA60UA60DN UItrafast Rectifier November 2009 FFA60UA60DN UItrafast Rectifier Features · ...
    26-04-2012
95. GT20J301 — Datasheet Toshiba -
    Datasheets
    

    Наименование модели: GT20J301 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(N) Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: HP SW IGBT Max Voltage Vce Sat: 2.7 В Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В Корпус транзистора: TO-3P (N) ...
    28-09-2010
96. NTE2649 — Datasheet NTE Electronics -
    Datasheets
    Наименование модели: NTE2649 Производитель: NTE Electronics Описание: Транзистор, NPN, 200 В, 15 А, TO-3P-3 Спецификации: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 200 В DC Collector Current: 15 А DC Current Gain: 5000 Transition Frequency Typ ft: 70 МГц ...
    11-08-2012
97. HI-FI аудио усилитель на MOSFET транзисторах с выходной мощностью 300 Вт
    Схемы Аудио
    Nico Ras, ЮАР Готов поделиться своим опытом создания усилителя RAS300 с другими энтузиастами, разделяющими мою страсть к совершенству. Этот минималистский усилитель я стремился сделать надежным и простым в эксплуатации, но, в тоже время, полностью ...

    300 Watt MOSFET Real HI-FI Power Amplifier

    Nico Ras, South Africa Project Summary My passion for excellence progressed over the past 40 years to developing sonically superior amplifiers to the highest possible standards, providing life like sound performance. Project Description I am ...

    17-01-2012
98. «Бесхвостые» 600 В IGBT от STMicroelectronics преодолевают ограничения в разработке схем питания
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника STMicroelectronics STGW40V60DF
    Современные 600-вольтовые IGBT серии V, изготовленные компанией STMicroelectronics (ST) по технологии trench-gate field-stop, имеют гладкие и бесхвостые характеристики выключения, низкие напряжения насыщения до 1.8 В и максимальную рабочую ...

    "Tail-less" 600 V IGBTs from STMicroelectronics Break Through Power-Design Constraints

    STMicroelectronics ' advanced 600 V trench-gate field-stop IGBT1 V series have a smooth and tail-less turn-off characteristic, saturation voltage as low as 1.8 V, and maximum operating junction temperature of 175 C, allowing increased system energy ...

    15-12-2013
99. Новая серия МОП-транзисторов IRFP4xxx с ультранизким сопротивлением канала
    Статьи Дискретные компоненты Питание Силовая электроника
    Евгений Звонарев Новости Электроники 18, 2008 Новая серия мощных МОП-транзисторов IRFP4xxx компании International Rectifier (IR) с ультранизким сопротивлением канала позволяет существенно повысить КПД преобразования электрической энергии и ...
    25-12-2008
100. GT15Q301 — Datasheet Toshiba -
     Datasheets Toshiba GT15Q301
     

     Наименование модели: GT15Q301 Производитель: Toshiba Описание: IGBT, 1200 В, TO-3P(N) Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: HP SW IGBT Max Voltage Vce Sat: 2.7 В Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 1200 В Корпус транзистора: TO-3P ...
     28-09-2010

Сортировать по: релевантность / дата