Публикации: DSS 61-0045A

1. Цепи защиты входов операционного усилителя могут шуметь
   Arthur Kay
   Статьи Аналоговая схемотехника Усилители Texas Instruments OPA205 OPA206
   .. меньшего, чем указанный в техническом описании максимальный ток 10 мА. Ток, протекающий при V GS = 0 В, определяется как I DSS , поэтому для защиты входа операционного усилителя требуется выполнение условия I DSS 10 мА. Эффект от входного ...

   Op-amp input protection can be noisy

   Arthur Kay

   .. current to less than the 10-mA absolute maximum current specification. The current flow with V GS = 0 V is defined as I DSS , so I DSS 10 mA is required for op-amp input protection. A 50 V input fault would have the same effect, except ...

   26 марта 2025

Купить DSS 61-0045A на РадиоЛоцман.Цены — от 4.43 до 2 080 ₽ 333 предложений от 30 поставщиков Нож Samura Golf SG-0045/A предназначен для нарезки различных продуктов на аккуратные ломтики на предприятиях общественного питания и торговли, в частных домах...
AiPCBA Весь мир	FW0045A	4.43 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	481-0045A Littelfuse	по запросу	Купить

2. Визуальное предупреждение о перегрузке
   Nick Cornford
   Схемы Аудио Texas Instruments LM393
   Несмотря на название, в этой статье описывается не устройство, которое подскажет вам, когда надевать солнцезащитные очки, а полезное дополнение к (аналоговому) аудиокомплекту. Встроенное, например, в микшер, оно покажет, когда выходной сигнал ...

   Visual overload alert

   Nick Cornford

   .. Q1 on while it does so. Q2, an n-channel JFET, is used as a constant-current diode, limiting the LED current to its I DSS or saturation drain current value, which is around 7 8 mA for the 2N5485 shown and largely independent of rail ...

   6 августа 2024

3. Схема защиты от напряжений ±500 В
   Схемы Измерения Microchip LND150N8-G
   .. 1 можно аппроксимировать следующим выражением: где I D требуемое значение постоянного тока; V GS(OFF) напряжение отсечки; I DSS ток насыщения при напряжении затвор-исток, равном 0 В. V GS(OFF) и I DSS являются характеристиками транзистора и ...

   ±500 Volt Protection Circuit

   .. approximated by the following equation: where, I D = desired constant current value, V GS(OFF) = pinch-off voltage, and I DSS = saturation current at V GS = 0 V. V GS(OFF) and I DSS are device characteristics and will vary from lot to lot. ...

   29 декабря 2022
4. Обсуждение: Транзисторы укрощают индуктивность рассеяния
   Форум Питание
   .. (Over Current Protection, OCP). Это происходит из-за особенностей схемы самозапитки микросхемы (Dynamic Self-Supply, DSS). Алгоритм работы последней предполагает переход в режим bust только на спаде VCC ниже порога 10В. И поскольку при ...
   2 октября 2022
5. Транзисторы укрощают индуктивность рассеяния
   Christophe Basso
   Схемы Питание ON Semiconductor NCP1200 MTP3N60E
   В обратноходовых преобразователях со стабилизацией на первичной стороне слабая связь между вторичной силовой и первичной вспомогательной обмоткой часто приводит к плохому перекрестному регулированию. Эта ситуация возникает в основном из-за ...

   Transistors tame perfidious leakage inductance

   Christophe Basso

   .. voltage. Figure 1 shows a typical application schematic using NCP1200 in an auxiliary-winding configuration. This IC uses a DSS (dynamic self-supply), but in some low-standby-power applications, it is desirable to permanently disconnect this ...

   29 сентября 2022
6. LC-генераторы на полевом транзисторе с p-n переходом
   Herminio Martinez
   Статьи Генераторы ON Semiconductor 2N3819
   .. на основе JFET, включенного по схеме с общим стоком. Когда JFET работает в области насыщения, ток стока I D равен: где I DSS максимальный ток насыщения, V GS напряжение затвор-исток, V P напряжение отсечки. Для моделирования JFET в этой ...

   JFETs Offer LC Oscillators with Few Components

   Herminio Martinez

   .. transistor, as a common drain. When the JFET transistor works in the saturation zone, the drain current, I D , is: where I DSS is the maximum saturation current and V P is the pinch-off voltage. You can model the JFET in this saturation zone ...

   21 октября 2021
7. Источник опорного напряжения улучшает характеристики полевого транзистора
   Схемы Аналоговая схемотехника Питание National Semiconductor LM4130
   .. 1а, имеет средний выходной импеданс и большой производственный разброс напряжения отсечки V P и начального тока стока I DSS . Эти производственные разбросы ограничивают начальную точность установки тока, которую может иметь схема при ...

   Voltage reference improves JFET

   .. common JFET current-source in Figure 1a has average output impedance and depends heavily on the JFET's V P and I DSS variations. These manufacturing variations limit the initial accuracy of the current setpoint that the circuit can ...

   22 июля 2021
8. Операционный усилитель делает повторяемыми схемы с полевыми транзисторами
   Схемы Аналоговая схемотехника Analog Devices LT1097
   .. усилителя состоит в смещении напряжения V GS JFET к уровню 0 В и, следовательно, в смещении тока I D к значению I DSS . (Здесь V GS напряжение затвор-исток, I D ток стока, I DSS ток стока при нулевом напряжении на затворе). Усилитель ...

   Op amps make JFET circuits repeatable

   .. the topology that Figure 1 shows. The purpose of the op amp is to bias the JFET at V GS = 0 V and, therefore, at I D = I DSS . It meets this goal by increasing the current in the bipolar transistor until V GS = 0 V and I D = I DSS . Figure ...

   15 декабря 2020
9. IRFZ46N — Datasheet International Rectifier
   Datasheets International Rectifier IRFZ46N
   .. мощный МОП-транзистор, V DSS = 55 В, R DS ( вкл ) = 16,5 мОм, I D = 30 А, TO-220AB
   27 мая 2020
10. IRLZ34N — Datasheet International Rectifier
    Datasheets International Rectifier IRLZ34N
    .. мощный МОП-транзистор, V DSS = 55 В, RDS ( вкл ) = 0,035 Ом, I D = 30 А, TO-220AB
    27 мая 2020

Сортировать по: релевантность / дата