МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 12 мОм, TO247-4L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с ...
.. канала на площадь кристалла для устройств с пробивным напряжением 650 В. Транзисторы NVBG015N065SC1 , NTBG015N065SC1 , NVH4L015N065SC1 и NTH4L015N065SC1 имеют самое низкое сопротивление открытого канала (12 мОм) на рынке ...
.. best in class figure of merit R SP (R DSON ×area) for 650 V breakdown voltage. The NVBG015N065SC1 , NTBG015N065SC1 , NVH4L015N065SC1 and NTH4L015N065SC1 have the lowest R DSON (12 mOhm) in the market in D2PAK7L and TO247 ...
.. сопротивления открытого канала на площадь кристалла. Устройства этой серии, такие как NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 и NTH4L015N065SC, имеют самые низкие сопротивления открытых каналов среди всех предлагаемых ...
.. figure of merit (FoM) for (R DS(on) ×area). Devices in the series such as the NVBG015N065SC1, NTBG015N065SC1, NVH4L015N065SC1 and NTH4L015N065SC offer the lowest R DS(on) in the market for D2PAK7L / TO247 packaged ...
1 июля 2021
Поиск "NVH4L015N065SC1" в других поисковых системах: DataSheet.ru
Купить NVH4L015N065SC1 на РадиоЛоцман.Цены — от 31 до 4 887 ₽
